ddr3內(nèi)存 文章 最新資訊
DDR3內(nèi)存的PCB仿真與設(shè)計
- 1概述當今計算機系統(tǒng)DDR3存儲器技術(shù)已得到廣泛應(yīng)用，數(shù)據(jù)傳輸率一再被提升，現(xiàn)已高達1866Mbps.在這種高速總線條件下，要保證數(shù)據(jù)傳輸質(zhì)量的可靠性和滿足并行總線的時序要求，對設(shè)計實現(xiàn)提出了極大的挑戰(zhàn)。本文主要使
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爾必達宣布移動設(shè)備DDR3內(nèi)存開發(fā)完成
- 日本爾必達公司近日宣布，針對下一代移動設(shè)備如智能手機和平板電腦的LPDDR3內(nèi)存顆粒開發(fā)完成，預(yù)計年底開始試產(chǎn)，2012年下半年開始量產(chǎn)。目前市面上的所今ARM架構(gòu)SoC處理器以及新鮮亮相的NVIDIA Tegra 3，高通Snapdragon S4集成的內(nèi)存控制器均為LPDDR2。爾必達這一產(chǎn)品瞄準的應(yīng)該是ARM Cortex-A15架構(gòu)SoC上市后的廣大市場空間，以及有可能加入戰(zhàn)局的Intel Medfield核心SoC。 爾必達新鮮研發(fā)的LPDDR3內(nèi)存顆粒采用30nm CMOS制程，F(xiàn)B
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美光奇夢達趕在三星前推出DDR3內(nèi)存
- 內(nèi)存生產(chǎn)商奇夢達和美光先于三星電子，推出了DDR3 DRAM內(nèi)存的樣品。該公司的營銷副總裁簡尼-馬凱（Jenn Markey）稱，長期以來市場一直期待，速度有希望比DDR2高一倍、能耗卻不會顯著增加的DDR3的出現(xiàn)，只是奇怪美光和奇夢達能在DRAM市場傳統(tǒng)領(lǐng)先者三星之前推出。 DDR3的數(shù)據(jù)傳輸速率可達到1600Mb/s（1600兆位/秒），電源電壓卻從1.8伏特下降到1.5伏特，這可降低能耗和延長移動設(shè)備的電池壽命。美光內(nèi)存部門高級營銷主管比
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ddr3內(nèi)存介紹
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