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        ac-led 文章 最新資訊

        艾邁斯歐司朗SYNIOS產(chǎn)品以更多創(chuàng)新和更多功能賦能汽車設(shè)計(jì)更多驚喜

        • 全球領(lǐng)先的光學(xué)解決方案供應(yīng)商艾邁斯歐司朗近日宣布,其SYNIOS?產(chǎn)品系列憑借全面且創(chuàng)新的產(chǎn)品組合——SYNIOS? P1515/P2222/P2720系列LED產(chǎn)品,在汽車照明技術(shù)領(lǐng)域脫穎而出。艾邁斯歐司朗SYNIOS?產(chǎn)品系列通過格柵照明、信號(hào)燈等多樣化應(yīng)用,不僅滿足現(xiàn)代汽車設(shè)計(jì)在功能性、安全性和美學(xué)方面的嚴(yán)苛要求,更以卓越的創(chuàng)新性和多功能性展現(xiàn)汽車設(shè)計(jì)的獨(dú)特魅力,成為艾邁斯歐司朗對(duì)創(chuàng)新承諾的最佳例證。現(xiàn)代汽車設(shè)計(jì)需要滿足眾多嚴(yán)苛要求,以實(shí)現(xiàn)卓越功能性、優(yōu)異安全性與出眾美學(xué)設(shè)計(jì)的完美平衡。汽車設(shè)計(jì)必須
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        接口、黑匣子快照驅(qū)動(dòng)器1.3kW AC-DC系列

        • XP Power 開發(fā)了 1.3kW 全數(shù)字、可配置、模塊化 AC-DC 電源系列,為電源工程師提供了新的界面。FLXPro 系列從 FLX1K3 可配置 1U 機(jī)箱開始,提供高達(dá) 1.3kW 的 AC-DC 電源,功率密度為 58.9W/cm3 (23.2W/in3)。該系統(tǒng)的一個(gè)關(guān)鍵元素是 XPInsight 用戶界面。這是使用以人為本的設(shè)計(jì) (HCD) 原則開發(fā)的,以簡(jiǎn)化系統(tǒng)配置、監(jiān)控和控制,并具有繪圖、數(shù)據(jù)記錄和同步多單元顯示等高級(jí)功能。“我們于 2015 年推出的 Nanoflex 1U 120
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        120-240W有源PFC AC/DC導(dǎo)軌電源

        • 針對(duì)工程應(yīng)用中對(duì)產(chǎn)品的尺寸匹配和主動(dòng)式PFC功能需求的難題,金升陽在2021年上市LIFxx-10BxxR2系列功能型導(dǎo)軌電源的基礎(chǔ)上,推出性能更優(yōu)的導(dǎo)軌LIF120/240-20BxxR3系列升級(jí)產(chǎn)品。該系列具有85-264VAC全球通用輸入電壓范圍,60℃可滿載工作,支持1.5倍過載(3s),高隔離耐壓,適用領(lǐng)域比上一代更廣,為客戶系統(tǒng)提供穩(wěn)定可靠的能量支持。一、產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)?1)寬輸入輸出電壓① 全球通用輸入電壓范圍:85 - 264VAC/120 - 370VDC,305VAC輸入持續(xù)5s不
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        LED驅(qū)動(dòng)器IC市場(chǎng)分析和預(yù)測(cè)2025-2035

        • 據(jù)估計(jì),到 2025 年,LED 驅(qū)動(dòng)器 IC 市場(chǎng)的市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 67 億美元,預(yù)計(jì)到 2035 年將達(dá)到 292 億美元,復(fù)合年增長(zhǎng)率為 15.9%。按產(chǎn)品類型劃分,到 2025 年,降壓 (buck) 驅(qū)動(dòng)器 IC 預(yù)計(jì)將占據(jù) 21.1% 的市場(chǎng)份額,而消費(fèi)電子產(chǎn)品預(yù)計(jì)將在同一年占據(jù) 34.2% 的應(yīng)用領(lǐng)域市場(chǎng)份額。LED 驅(qū)動(dòng)器 IC 市場(chǎng)預(yù)計(jì)到 2025 年將達(dá)到 67 億美元,預(yù)計(jì)到 2035 年將達(dá)到 292 億美元,在預(yù)測(cè)期內(nèi)的復(fù)合年增長(zhǎng)率 (CAGR) 為 
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        LED追蹤效率下降的來源

        • 伊利諾伊大學(xué)厄巴納-香檳分校修改了發(fā)光二極管 (LED) 的 ABC 模型,以便能夠提取內(nèi)部量子效率 (IQE),從而評(píng)估了降低 LED 性能的各種影響 [P. Thirasuntrakul, Appl. Phys. Lett., v126, p211103, 2025]。ABC 模型是指一個(gè)理論假設(shè),即 LED 中的載流子復(fù)合速率可以表示為載流子濃度 (n) 中的簡(jiǎn)單冪級(jí)數(shù):An+Bn2+中文3.ABC 系數(shù)分別大致分別與Shockley-Read-Hall 重組,電子-空穴復(fù)合成光子,產(chǎn)生我
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        配套AC/DC磚類電源的高性能濾波器—FC-L15HB

        • 一、產(chǎn)品介紹金升陽推出的FC-L15HB是為我司AC磚類電源配套使用的EMC輔助器。將FC-L15HB加裝在金升陽AC/DC磚類電源的前端,可以提高電源產(chǎn)品IEC/EN61000—4系列及CISPR32/EN55032標(biāo)準(zhǔn)的EMC性能。二、產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)1、高共差模插入損耗① DM&CM>60dB@550KHz:150K~1MHz>35dB(CM/DM)1~10MHz以內(nèi)>25dB(CM/DM) ?10~30MHz>35dB(CM/DM)圖1 FC-L15HB型號(hào)插入損耗圖2、高浪涌抑制能力結(jié)
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        小型風(fēng)冷LED UV光源可提高固化性能

        • 京瓷公司開發(fā)了一種新型風(fēng)冷式 UV LED 光源,其外形緊湊,可為油墨、樹脂固化和粘附等應(yīng)用提供高固化性能。UV 固化光源遇到了重大挑戰(zhàn),例如降低功耗以降低 CO2 排放、減少臭氧排放以及遵守汞法規(guī)。此外,對(duì)節(jié)省空間的制造的需求不斷增長(zhǎng),這導(dǎo)致需要更緊湊的光源和增強(qiáng)的固化性能。京瓷的 G7A 系列 UV LED 光源對(duì)環(huán)境的影響很小,并且采用風(fēng)冷系統(tǒng),即使在高輸出下也不需要冷卻水。無需額外的設(shè)備,例如水冷系統(tǒng),從而實(shí)現(xiàn)更緊湊的安裝。UV 光源實(shí)現(xiàn)了 20 W/cm2 的高輻照度,是風(fēng)冷式 UV LED 光
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        SID 2025:多樣化的Micro LED應(yīng)用點(diǎn)亮未來

        • 美國時(shí)間 2025 年 5 月 13 日,2025 年顯示周(SID 2025)在美國加州圣何塞麥肯內(nèi)利會(huì)議中心正式開幕。全球領(lǐng)先的顯示行業(yè)巨頭、尖端技術(shù)公司和創(chuàng)新初創(chuàng)公司齊聚一堂,展示最新一代的顯示解決方案和產(chǎn)品。其中,Micro LED 技術(shù)成為眾多顯示企業(yè)關(guān)注的重點(diǎn)。這些主要參與者不斷提升 Micro LED 技術(shù)的性能,將其應(yīng)用從中大型顯示器擴(kuò)展到汽車顯示器和近眼顯示器,突破了 Micro LED 技術(shù)所能實(shí)現(xiàn)的界限。Micro LED 商用和創(chuàng)新顯示應(yīng)用在 SID 2025 上,我們可以看到 M
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        5mW待機(jī)功耗突圍戰(zhàn)!AC-DC電源待機(jī)功耗逼近物理極限

        • 在全球節(jié)能減排趨勢(shì)下,降低電子設(shè)備的待機(jī)功耗成為技術(shù)攻堅(jiān)的核心課題。AC-DC電源作為電力轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵環(huán)節(jié),其待機(jī)功耗直接影響著能源浪費(fèi)水平。本文深入解析如何通過初級(jí)側(cè)調(diào)節(jié)反激式拓?fù)洹⒅悄芸刂撇呗约捌骷?yōu)化,實(shí)現(xiàn)待機(jī)功率低于5mW甚至趨近于零的技術(shù)路徑。反激式拓?fù)洌旱凸脑O(shè)計(jì)的基石反激式拓?fù)鋺{借結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低廉的優(yōu)勢(shì),成為低功耗離線電源的首選方案。傳統(tǒng)設(shè)計(jì)中,光耦器件用于次級(jí)側(cè)電壓反饋,但其功耗與穩(wěn)定性問題逐漸顯露。現(xiàn)代準(zhǔn)諧振(QR)反激式控制器通過初級(jí)側(cè)調(diào)節(jié)技術(shù),徹底摒棄光耦依賴——利用變壓器偏置繞組的
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        基于onsemi NCP12400的固定頻率電流模式AC/DC醫(yī)療級(jí)插墻式20W適配器

        • 近年來全球人口老化更帶動(dòng)了居家照護(hù)市場(chǎng)急速成長(zhǎng),因此對(duì)于外置式醫(yī)療級(jí)適配器需求不斷增加中。居家醫(yī)療與照護(hù)產(chǎn)業(yè)已在各先進(jìn)國家蓬勃發(fā)展,有些不會(huì)危及生命安全、病情已穩(wěn)定患者,可依據(jù)醫(yī)師指示在家中透過相關(guān)醫(yī)療器材照護(hù)。此類可于家庭照護(hù)使用或可攜帶型的儀器,如蒸氣吸入藥物、老人拍痰、血氧量測(cè)、防褥瘡氣墊床、霧化器、拍痰器,不僅須通過歐美60601-1-11居家醫(yī)療安規(guī)認(rèn)證、且需符合病患可接觸的2XMOPP高絕緣及BF類等級(jí)、超低泄漏電流等要求。有些儀器更因便攜特性而必須具備 AC插座易插拔與可更換,輸入側(cè)AC
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        成功設(shè)計(jì)LED驅(qū)動(dòng)電源的五個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)

        • 一、LED電流大小LED電流的大小直接影響著使用壽命,建議降額使用,因此盡量控制小點(diǎn),特別是LED散熱效果不好的話,LED一定要留足余量。二、芯片發(fā)熱這主要針對(duì)內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。假如芯片消耗的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上面,芯片的功耗為0.6W,當(dāng)然會(huì)引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動(dòng)芯片的*電流來自于驅(qū)動(dòng)功率MOS管的消耗,簡(jiǎn)單的計(jì)算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益,實(shí)際I=2cvf,其中c為功率MOS管的cgs電容,v為功率管導(dǎo)通時(shí)的gate電壓,所以為了降低芯片的功耗,必須想辦法降低c、
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        Micro LED芯片再縮小40% 富采瞄準(zhǔn)車用、AI光通訊

        • 富采作為世界領(lǐng)先的光電半導(dǎo)體廠商,Micro LED為其高附加價(jià)值的「3+1」重點(diǎn)發(fā)展領(lǐng)域之一,隨著技術(shù)突破與生態(tài)圈的快速成長(zhǎng),Micro LED應(yīng)用已從高端顯示拓展至車用與AI光通訊,為產(chǎn)業(yè)帶來全新成長(zhǎng)動(dòng)能。被譽(yù)為終極顯示技術(shù)的Micro LED,近年來因全球各大品牌廠積極導(dǎo)入而持續(xù)受到市場(chǎng)關(guān)注。 根據(jù)TrendForce市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè),整體Micro LED芯片產(chǎn)值將從2024年的0.28億美元增長(zhǎng)至2029年的7.45億美元,年均復(fù)合成長(zhǎng)率(CAGR)高達(dá)93%,且這一數(shù)據(jù)尚未涵蓋光通訊領(lǐng)域的市場(chǎng)
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        大聯(lián)大詮鼎集團(tuán)推出基于英諾賽科產(chǎn)品的2KW 48V雙向AC/DC儲(chǔ)能電源方案

        • 致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的國際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股近日宣布,其旗下詮鼎推出基于英諾賽科(Innoscience)InnoGaN INN650TA030C、INN650TA050C、INN100EQ016A以及INS1001DE芯片的2KW 48V雙向AC/DC儲(chǔ)能電源方案。圖示1-大聯(lián)大詮鼎基于英諾賽科產(chǎn)品的2KW 48V雙向AC/DC儲(chǔ)能電源方案的展示板圖在實(shí)現(xiàn)“雙碳”目標(biāo)的大背景下,風(fēng)能、光伏等綠色能源形式正逐步成為推動(dòng)可持續(xù)發(fā)展的核心動(dòng)力。然而,自然界的能源供給存在固有的不穩(wěn)定性,這要求
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        基于Raspberry Pi的智能LED世界地圖風(fēng)靡全球

        • 這個(gè) Raspberry Pi 項(xiàng)目具有全球吸引力 — 至少在天氣和日光等方面是這樣。創(chuàng)客和開發(fā)商 Tribal2,正如他們?cè)?nbsp;Reddit 上所熟知的那樣,創(chuàng)造了一張美麗的世界地圖,它由我們最喜歡的 SBC 提供支持,并具有可照亮各種功能的 LED。根據(jù) Tribal2 的說法,這個(gè)項(xiàng)目的靈感來自于十多年前由一家名為 Ewoolsey 的制造商制作的類似作品——盡管是由 Arduino 驅(qū)動(dòng)的。Tribal2 決定通過將 R
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        從硅到碳化硅過渡,碳化硅Cascode JFET 為何能成為破局者?

        • 電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇,但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅,碳化硅具備多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢(shì)(圖1),這使其在電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心,以及直流快充、儲(chǔ)能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域嶄露頭角,成為眾多應(yīng)用中的新興首選技術(shù)。圖1:硅器件(Si)與碳化硅(SiC)器件的比較什么是碳化硅Cascode JFET技術(shù)?眾多終端產(chǎn)品制造商已選擇碳化硅技術(shù)替代傳統(tǒng)硅技術(shù),基于雙極結(jié)型晶體管(B
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