- 在半導體晶圓制造工藝度過60納米平臺后，世界最大的晶圓代工廠臺積電就選擇不再跟隨英特爾的技術標準。對此，臺積電研發負責人、研發發展資深副經歷蔣尚義認為，半導體行業的每一個工藝制造都需要近十年的時間不斷優化，而臺積電選擇比英特爾更快的研究更先進的制造工藝，意在提高自己的長期競爭力。
“我們現在最成熟的工藝是0.13微米，這已經是10年前的技術了，但依然有得改進。同理，如果我們第一步領先，就會在接下去的十年都領先。”蔣尚義昨日在北京向媒體表示。他此行的目的是在27日召開的20
- 關鍵字：
晶圓制造 60納米 32納米
- 按半導體國際產能統計(SICAS)公布的2009 第四季有關產能及利用率的最新數據,摘錄部分數據并加以說明。
從SICAS摘下的2009 Q4最新數據與2008 Q4比較,有以下諸點加以說明;
1),總硅片產能09 Q4與08 Q4相比還是減少10,7%
2),全球代工產能09 Q4與08 Q4相比上升10,6%
3),2008 Q4時全球小于80納米的產能占總產能比為44%,而到2009 Q4時占54%,反映技術進步加快。在2008 Q4時還沒有小於60納米的產能,而到
- 關鍵字：
半導體 60納米 硅片
- 據臺灣媒體報道，臺灣旺宏計劃投資1600億新臺幣(約和332.5億人民幣)興建兩座12寸芯片廠，此舉將導致茂德、力晶等內存芯片公司向旺宏賣廠求現的美夢破碎，恐促使DRAM(動態隨機存儲器)廠雪上加霜。
旺宏是上半年臺灣唯一獲利的內存芯片廠，積極擴廠后，更將坐穩獲利龍頭寶座。
旺宏投資1600億新臺幣興建兩座12寸芯片廠的計劃，已向臺灣當局遞交文件，申請進駐中科后里園區。第一期建廠預計年底前動工，2011年初投產，兩座新廠規劃產能約8萬片，并導入60納米以下最新技術。
為配合旺宏建廠計
- 關鍵字：
旺宏 DRAM 60納米 芯片
- 臺系DRAM廠身陷財務泥淖且制程停留在70納米制程，然國際大廠卻提前引爆40納米制程大戰!三星電子(Samsung Electronics)40納米制程產品已開始送樣，美光(Micron)產品亦趨近成熟，2010年將加入戰局，爾必達(Elpida)這次雖沒趕上50納米世代，差點出現世代交替斷層危機，公司內部已研擬2010年將略過50納米世代，直接跳到40納米，50納米恐成短命制程，未來真正決戰點會是40納米制程技術。
三星、海力士(Hynix)、美光等DRAM大廠2009年紛轉進50納米制程，且
- 關鍵字：
DRAM 40納米 60納米 50納米
- 三星在一個月內將NAND的容量提高了四倍。 三星宣布，公司開發出了一種8GB 的NAND閃存設備。這種新的高容量多級單元（MLC ）閃存是基于60納米的制造工藝，與70納米的產品相比，60納米工藝可以讓產量提高25%。 有了這種最新的技術，三星能夠向消費者提供8GB 內存的解決方案，它采用兩個4GB 模塊。新的NAND閃存將于今年第三季度面世。
- 關鍵字：
60納米 便攜式播放 三星 閃存
60納米介紹
您好，目前還沒有人創建詞條60納米!
歡迎您創建該詞條，闡述對60納米的理解，并與今后在此搜索60納米的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
