- 針對先前有媒體報導飛索暫停了與武漢新芯的合作，飛索公司企業營銷總監John Nation昨日駁斥上述說法，并指出這是一場誤解。事實上，飛索與中芯國際和武漢新芯的合作，都還在持續進行中，包括盡快移轉43納米的技術，還有一個大型工作團隊正在努力進行65納米的生產產能驗證資格，為明年2010年第二季的合作量產做好準備。
飛索指出，該公司受到金融風暴和破產重整的影響，打亂了原先2008年的規劃，65納米的生產提早于2010年第二季前實現的計劃已經落空，所以現階段飛索只能自行利用內部已有設備生產。可是，預
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飛索 晶圓代工 43納米 65納米 90納米
- 雖然其合作伙伴飛索半導體申請破產，武漢新芯與飛索65納米，43納米的技術研發及專利授權方面，仍在持續進行當中。
武漢新芯于2006年6月28日開工建設，為中國中部地區第一條12英寸集成電路生產線，由湖北省、武漢市、東湖高新區三級財政共同投資，并委托中芯國際經營管理。
據中國經濟網記者了解，武漢新芯的12英寸晶圓廠有能力供應多種先進制程的產品，產品線包括90納米至43納米制程的存儲芯片和閃存產品。武漢生產線產能可以加工客戶訂單的需求，預期還有多筆訂單會陸續進來。目前90納米的產品線，月產能3
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- 全球NAND Flash需求仍相當疲弱，盡管東芝(Toshiba)宣布增產重創市場信心，然存儲器業者透露，由于東芝43納米制程NAND Flash芯片日前打入蘋果(Apple)iPhone供應鏈，推測其增產系為蘋果供貨做準備，近期更需關注的是，三星電子(Samsung Electronics)除采用既有42納米制程應戰，亦開始準備最新版35納米制程NAND Flash芯片，且已陸續送樣給控制芯片廠，這不僅將對東芝和英特爾(Intel)、美光(Micron)聯盟造成壓力，亦將影響NAND Flash市場
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- 據日本經濟新聞4月21日報道，東芝最快將在本會計年度開始采用43納米制程生產閃存芯片，以降低生產成本。 東芝為全球第二大閃存芯片制造商，僅次于韓國三星電子。報道指出，由于芯片價格料在2007/08年度挫跌50%，因此該公司急于提高晶片生產效率。 日經新聞稱，使用43納米制程，將可使東芝生產成本降低40%。 報道稱，三星電子計劃今年開始采用50納米制程。
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