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28納米
28納米 文章 最新資訊
臺(tái)積電率先推出28納米低耗電平臺(tái)
- 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司今(17)日宣布領(lǐng)先專業(yè)積體電路制造服務(wù)領(lǐng)域，成功開發(fā)28納米低耗電技術(shù)，同時(shí)配合雙/三閘極氧化層(dual/triple gate oxide)工藝，將32納米工藝所使用的氮氧化硅(Silicon Oxynitride，SiON))/多晶硅(poly Si)材料延伸至28納米工藝，使得半導(dǎo)體可以持續(xù)往先進(jìn)工藝技術(shù)推進(jìn)。此一工藝技術(shù)的優(yōu)勢(shì)還包括高密度與低Vcc_min六電晶體靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體(SRAM)元件、低漏電電晶體、已通過(guò)驗(yàn)證的傳統(tǒng)類比/射頻/電子熔線(analog
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 SRAM 28納米 低耗電 氮氧化硅 多晶硅
臺(tái)積電將28納米制程定位為全世代制程
- 臺(tái)積電日前宣布，將28納米制程定位為全世代(Full Node)制程，同時(shí)提供客戶高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate，HKMG)及氮氧化硅材料兩種選擇，以支持不同產(chǎn)品的應(yīng)用及效能需求。此一28納米制程預(yù)計(jì)于2010年第一季開始生產(chǎn)。 臺(tái)積公司28納米系列制程同時(shí)具備了高介電層/金屬閘以及氮氧化硅閘晶體管兩種選擇的彈性制造能力，而28納米制程將是此一系列中的全世代制程。目前有多個(gè)客戶正使用臺(tái)積公司28納米制程進(jìn)行產(chǎn)品設(shè)計(jì)，藉由與客戶密切的協(xié)同合作，可以讓客戶選用最佳化的晶體管材料
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28納米介紹
就是指制造工藝，比如說(shuō)CPU，以前的制造工藝是130nm，后來(lái)又出現(xiàn)了90nm、45nm、30nm、22mn等，28nm好像是顯卡的制造工藝。
28納米工藝，指的是手機(jī)主板芯片里面的半導(dǎo)體溝道之間的距離，現(xiàn)在做到28納米了，之所以賣家要說(shuō)這點(diǎn)，是科技進(jìn)步的表現(xiàn)，能做到越小，這方面的技術(shù)工藝越先進(jìn)，越小集成度越高，但是隨之而來(lái)會(huì)出現(xiàn)負(fù)面的效應(yīng)，耗能散熱的問題，電子通過(guò)的通道越窄，一來(lái)是工藝越難 [ 查看詳細(xì) ]
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