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基于ZigBee的礦井環(huán)境監(jiān)測系統(tǒng)的設(shè)計*
- 針對礦井內(nèi)部環(huán)境復雜、人員活動頻繁的特點，提出了基于ZigBee的礦井環(huán)境監(jiān)測系統(tǒng)。該系統(tǒng)以STM32單片機為主控單元，采用傳感器技術(shù)和ZigBee技術(shù)相結(jié)合實現(xiàn)對井下環(huán)境參數(shù)的采集與控制，實現(xiàn)了數(shù)據(jù)的實時監(jiān)測與分析處理，從而達到實時監(jiān)控煤礦內(nèi)環(huán)境要素變化情況、及時準確地了解生產(chǎn)，可以為煤礦生產(chǎn)提供全方位實時動態(tài)信息服務(wù)。
- 關(guān)鍵字： 202306 STM32 ZigBee 環(huán)境監(jiān)測 傳感器
基于STM32的智能腰椎拉伸熱敷床墊設(shè)計
- 針對當前腰椎間盤突出征非手術(shù)治療方案存在的不足，設(shè)計了一種具有腰椎拉伸熱敷功能的智能床墊。根據(jù)可調(diào)式氣囊腰枕的工作原理，基于智能化和人性化的原則，采用STM32單片機作為主控芯片，從結(jié)構(gòu)、硬件和軟件3個方面，對床墊進行了創(chuàng)新性的系統(tǒng)設(shè)計。具體分析了床墊分層模組化結(jié)構(gòu)設(shè)計，系統(tǒng)總體電路、通信電路、氣壓采樣電路、電磁閥和氣泵驅(qū)動電路硬件設(shè)計，以及床墊工作過程軟件控制程序設(shè)計。床墊的拉伸熱敷功能，可改善腰部豎背肌肌肉放松，緩解腰椎間盤突出癥。
- 關(guān)鍵字： 202306 STM32 腰椎間盤突出癥 智能床墊 調(diào)控式氣囊 石墨烯 熱敷
基于FaceNet的智能自習室的設(shè)計與實現(xiàn)*
- 本項目從鄭州GS學院公共自習室的實際情況出發(fā)，通過分時段調(diào)研本校圖書館公共自習室的座位使用情況和管理狀況，發(fā)現(xiàn)自習室存在學生占座、高峰時段擁擠、人工管理效率低等情況。為了解決公共自習室的困境，本文提出一種基于互聯(lián)網(wǎng)預約+人工智能管理的解決方案。運用微信小程序?qū)崿F(xiàn)公共自習室使用狀態(tài)查看和網(wǎng)絡(luò)預約功能，并借助人臉識別和物聯(lián)網(wǎng)實現(xiàn)了無人化和智能化管理。
- 關(guān)鍵字： 202306 座位預約管理 FaceNet模型 人臉識別 物聯(lián)網(wǎng)Led
基于ESP8266的燃氣泄漏云響應(yīng)裝置*
- 提出了一種基于ESP8266的環(huán)境監(jiān)測燃氣泄漏云響應(yīng)系統(tǒng)。該系統(tǒng)通過檢測環(huán)境中的燃氣氣體濃度來預防燃氣泄漏事件，同時通過連接到云端的傳感器網(wǎng)絡(luò)來實現(xiàn)實時監(jiān)測和響應(yīng)。系統(tǒng)利用ESP8266 MCU，通過使用MQ-4氣體傳感器和MC106B傳感器來檢測環(huán)境中的燃氣氣體濃度，使用DHT11檢測環(huán)境溫濕度，同時在 OLED上顯示，并將數(shù)據(jù)上傳到云端，且該裝置連接電磁閥，可實現(xiàn)遠程控制電磁閥的開啟與關(guān)閉。
- 關(guān)鍵字： 202306 ESP8266 燃氣泄露 云響應(yīng)裝置
從隱空間理解編碼器(Encoder)
- 1 前言當我們在閱讀關(guān)于AIGC 的文章時，常常會看到Encoder和Decoder名詞。它們是AI( 即ML) 的核心模型，如果能深入理解它們的涵意和功能，就能更流暢地理解相關(guān)文章的內(nèi)容，以及圖示。例如，關(guān)于Diff usion( 擴張模型) 的文章里?？吹饺鐖D1。(圖1 來源https://www.joaoleal.com/how-stablediffusion-dall-e-2-and-midjourney-work)圖1 說明諸如Stable Diff usion 里，就含有文本編碼器(text
- 關(guān)鍵字： 202306 隱空間 編碼器
使用SiC的關(guān)鍵在于了解事實
- 最近，碳化硅 (SiC) 及其在電力電子領(lǐng)域的潛在應(yīng)用受到了廣泛關(guān)注，但同時也引發(fā)了一些誤解。本文旨在澄清這些誤解，讓工程師們在未來放心地使用 SiC器件。應(yīng)用圍繞SiC 產(chǎn)生的一些疑慮與其應(yīng)用范圍相關(guān)。例如，一些設(shè)計人員認為SiC MOSFET 應(yīng)該用來替代IGBT，而硅MOSFET 的替代品應(yīng)該是氮化鎵 (GaN) 器件。然而，額定電壓為650 V 的SiC MOSFET 具有出色的性能，其RDS(ON)*Qg 品質(zhì)因數(shù)很有競爭力，反向恢復電荷也非常小。因此，在圖騰柱功率因數(shù)校正 (TPPFC) 或同
- 關(guān)鍵字： 202306 SiC
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