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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 110納米

        釋放前所未有的能效:瑞薩先進的110納米制程技術

        • 在當今不斷發(fā)展的技術環(huán)境下,實現最佳功效是半導體制造商的重要目標。認識到這一需求,瑞薩開發(fā)了其先進的110納米制程技術,徹底改變了低功耗設計的世界。瑞薩的110納米工藝技術的核心是能效、性能和成本效益之間的完美平衡。利用這種最先進的工藝節(jié)點,瑞薩創(chuàng)造了一系列市場領先的微控制器(MCU),體現了電源管理、集成和性能方面的最新進展。將瑞薩的MCU從130納米(MF3)技術遷移到110納米(MF4)技術作為微控制器技術的先驅,瑞薩憑借其先進工藝技術不斷突破創(chuàng)新的界限。一個顯著的進步是從利用130納米工藝技術的M
        • 關鍵字: 110納米  瑞薩  微控制器  

        X-FAB率先向市場推出110納米BCD-on-SOI代工解決方案

        • 中國北京,2023年6月2日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠,由此加強了其在BCD-on-SOI技術領域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺反映了模擬應用中對更高數字集成和處理能力日益增長的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結合在一起,因此與傳統(tǒng)Bulk BCD工藝相比,高密度數字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個芯片。X-F
        • 關鍵字: X-FAB  110納米  BCD-on-SOI  
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        110納米介紹

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