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Kinam Kim 博士:硅技術將向10nm發展
韓國三星先進技術研究所總裁兼CEO Kinam Kim 博士在2012年中國國際半導體技術大會(CSTIC2012)帶來主題為“探索硅技術的前景(Exploring Si Technology’s Horizon)”的精彩演講。 Kim博士表示,閃存技術是否會主導未來的存儲市場,2012到2015年集成光電路等技術將取得進展,硅技術將向10nm發展,并同時推動DRAM、NAND閃存等產業的發展。 Kim在演講中指出,在DRAM和NAND閃存等方面, Ki
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10nm
SanDisk聯手東芝進軍10nm級別閃存工藝
2010年閃存芯片的制造工藝普遍都是30nm級別,2011年則將成為20nm級別普及的開端,同時10nm級別工藝的投資和研發也即將陸續開始。 SanDisk近日就表示:“2011年我們的首要營業費用投資就是研發,包括Fab 5晶圓廠上線投產,以及(10nm級別)和更先進NAND閃存制造工藝的技術投資?!?
關鍵字:
SanDisk
10nm
閃存
硅CMOS技術可擴展到10nm以下
“硅CMOS技術完全可以擴展至10nm以下。如果能夠充分導入三維NAND閃存技術、可變電阻式存儲器(ReRAM)以及EUV曝光技術等新構造、新材料和新工藝,硅CMOS技術將繼續保持其主導地位”。
關鍵字:
CMOS
10nm
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