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東芝推出新一代DTMOSVI高速二極管型功率MOSFET

• 中國上海，2024年2月22日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超結結構的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），該系列適用于包括數據中心和光伏功率調節器等應用的開關電源。首批采用TO-247封裝的兩款650 V N溝道功率MOSFET產品“TK042N65Z5”和“TK095N65Z5”，于今日開始支持批量出貨。   新產品采用高速二極管，旨在改善橋式電路和逆變電路應用中至關重要的反
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