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        高帶寬內存 文章 最新資訊

        HBM(高帶寬內存)技術展望:2024年及以后

        • HBM(高帶寬內存)技術是即將到來的“內存內計算/處理”時代的一種“近內存計算(Near Memory Computing)/處理”階段。由于人工智能/機器學習的高需求,三星、SK海力士和美光這三大內存制造商正在HBM技術的開發上競相角逐。HBM是一種具有高帶寬和寬通道的3D堆疊DRAM器件,這意味著它非常適合高性能計算(HPC)、高性能圖形處理單元(GPU)、人工智能和數據中心應用所需的高能效、高性能、大容量和低延遲內存。因此,對于內存制造商而言,硅通孔(TSV)工藝集成和3D HBM DRAM芯片堆疊
        • 關鍵字: HBM  高帶寬內存  

        英特爾至強CPU Max系列:整合高帶寬內存(HBM)和至強處理器內核

        • 治療癌癥、減緩全球變暖、保護生態健康——當今世界充滿了各種挑戰。因此,通過科技緊跟時代發展步伐,并充分利用不斷增長的數據至關重要。這不僅涉及數據的處理速度,也涉及能夠處理的海量數據,以及數據在內存和處理器之間的傳輸速度。 英特爾設計工程部首席工程師、英特爾?至強? CPU Max系列(代號Sapphire Rapids HBM)首席架構師Ugonna Echeruo如此描述這一挑戰:究其根本,一顆CPU是從內存獲取信息、對其進行處理并更新。CPU最終可以處理的信息量受限于數據傳輸“管道”的寬窄。
        • 關鍵字: 英特爾  至強CPU  高帶寬內存  HBM  至強處理器內核  
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        高帶寬內存介紹

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