- 摘要 在復雜實驗條件下，需采用非易失性鐵電存儲器記錄重要數據。為防止二次上電時實驗數據被覆蓋，需設計防掉電功能。文中介紹了一種F-RAM的防棹電設計思路，并基于現場可編程門陣列實現，板級驗證工作正常，并已
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非易失鐵電存儲器 防掉電 現場可編程門陣列
非易失鐵電存儲器介紹
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