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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 閃存芯片

        閃存芯片 文章 最新資訊

        美政府承諾就半導體補貼政策向日本和中國施壓

        •   據國外媒體今日報道,在美國閃存芯片廠商美光科技提出投訴后,美國政府承諾就日本最大電腦閃存廠商必爾達的補貼問題向日本和中國臺灣施加壓力。   美國貿易代表榮·基克(Ron Kirk)向愛達荷州共和黨參議員邁克·卡拉普(Mike Crapo)致函,承諾會通過世界貿易組織以及單獨會晤擁有半導體產業的國家,要求日本和中國臺灣就補貼問題提供更多信息。愛達荷州是美光科技的總部所在地。   基克在這封9月24日的信件中表示:“我們理解這個問題對你和對美國DRAM芯片制造商
        • 關鍵字: 美光  DRAM  閃存芯片  

        美國承諾介入海外芯片廠商補貼問題

        •   據國外媒體今日報道,在美國閃存芯片廠商美光科技提出投訴后,美國政府承諾就日本最大電腦閃存廠商必爾達的補貼問題向日本和中國臺灣施加壓力。   美國貿易代表榮·基克(Ron Kirk)向愛達荷州共和黨參議員邁克·卡拉普(Mike Crapo)致函,承諾會通過世界貿易組織以及單獨會晤擁有半導體產業的國家,要求日本和中國臺灣就補貼問題提供更多信息。愛達荷州是美光科技的總部所在地。   基克在這封9月24日的信件中表示:“我們理解這個問題對你和對美國DRAM芯片制造商
        • 關鍵字: 閃存芯片  DRAM  

        東芝Sandisk計劃明年啟用2xnm制程量產閃存芯片

        •   據業者透露,東芝及其閃存合作伙伴SanDisk計劃要在明年下半年開始采用20nm級別制程來量產NAND閃存芯片。另外兩家公司在日本本州四日市(Yokkaichi)合資興建的閃存芯片廠將逐月增大閃存芯片的產能,直至達到20萬片的產能水平。   東芝公司最近已經開始32nm制程3bpc(每存儲單元3bit數據)閃存芯片的量產,按原先的計劃,合資的四日市芯片廠32nm制程芯片的產量應在今年底前達到總產量的50%左右,不過按目前的產能規劃來看,實際的量產實施時間看來已經會有所拖延。   另一方面,對手In
        • 關鍵字: SanDisk  20nm  NAND  閃存芯片  

        飛索半導體3100萬美元出售蘇州工廠

        •   據國外媒體報道,申請破產的閃存芯片制造商飛索半導體周一表示,作為公司重組計劃的一部分,公司已經同意作價約3100萬美元現金將旗下中國蘇州工廠出售給臺灣力成科技。   飛索半導體周一發表聲明稱,蘇州工廠約有565名工人,是公司4家工廠之一。   飛索半導體今年3月申請破產。該公司表示,出售蘇州工廠意在降低固定成本,轉向更為靈活外包的制造模式。   這一出售交易還有待美國破產法庭批準。飛索半導體表示,計劃今年第四季度走出破產保護。
        • 關鍵字: 飛索  閃存芯片  

        美光或收購Numonyx Intel脫離NAND市場?

        •   根據國外媒體爆料,NAND閃存芯片制造商以及英特爾的合作伙伴美光科技可能會收購英特爾投資的NOR閃存制造商Numonyx。   這將使得英特爾能夠擺脫掉Numonyx,而美光則可以藉此進入NOR閃存業務,并獲得Numonyx的phase-change memory技術。   Numonyx是英特爾的合資公司,英特爾擁有其45%的股份,意法半導體持股49%。金融服務公司Francisco Partners持有其余股份,并在Numonyx 2008年成立時投資了1.5億美元。閃存業務對英特爾和意法半導
        • 關鍵字: 英特爾  NAND  閃存芯片  智能手機  

        三星東芝稱美司法部閃存反壟斷調查已結束

        •   據國外媒體報道,全球最大的兩家閃存芯片制造商,三星電子與東芝公司今日表示,美國司法部針對兩家公司展開的反壟斷調查已經結束。此次反壟斷調查歷時2年。   三星電子的一位女發言人今日宣布,美國司法部已通知三星電子,對公司的相關調查已告結束。東芝美國分公司則在7月28日收到了有關通知。但美國司法部女發言人塔拉莫娜拒絕對此發表評論。   美國司法部對閃存芯片制造商的反壟斷調查始于2007年9月,調查源于司法部懷疑半導體行業存在限定價格的可能。另一項獨立的調查則在4家電腦內存芯片公司中展開,這其中也包括三星
        • 關鍵字: 三星  閃存芯片  內存芯片  

        三星閃存芯片被指侵權殃及八家公司

        •   據國外媒體報道,美國知識產權公司BTG International Inc.(以下簡稱“BTG”)今天向美國國際貿易委員會提出申訴,稱三星的NAND閃存芯片侵犯其5項專利,要求禁止進口侵權芯片及相關產品。BTG還將蘋果、RIM等8家采用該芯片的公司列為被告。   BTG申訴材料稱,涉案專利與采用“多層存儲單元”(MLC)技術的閃存芯片的編程和讀取方法有關。MLC技術能降低閃存芯片制造成本,并提高存儲密度。   申訴材料指出,包括手機、攝像機、筆記本和
        • 關鍵字: 三星  NAND  閃存芯片  MLC  

        蘋果預付5億美元 與東芝簽閃存長期供貨協議

        •   蘋果高管近日在財報分析師電話會議上表示,該公司已與東芝達成閃存芯片長期供貨協議,并向后者預付5億美元貨款。   這一交易對于東芝而言可謂“及時雨”。東芝是全球第二大NAND閃存芯片廠商,面臨閃存芯片價格滑坡和來自三星電子的激烈競爭等問題。   消息人士表示,5億美元相當于蘋果一個季度NAND閃存芯片需求量的價值。
        • 關鍵字: 蘋果  閃存芯片  NAND  

        傳英特爾推320GB固態硬盤 采用34納米閃存芯片

        •   有傳言稱英特爾將于兩周后推新款固態硬盤。   據消息人士稱,新款固態硬盤將使用由英特爾和美光聯合開發的34納米NAND閃存芯片,容量高達320GB。工藝越先進,固態硬盤的存儲密度越高,成本越低。固態硬盤將能夠取代大多數筆記本電腦中的傳統硬盤。
        • 關鍵字: Intel  34納米  閃存芯片  固態硬盤  

        東芝推出32納米工藝閃存芯片 7月批量生產

        •   東芝日前展示了基于32納米制造工藝的單芯片32Gb NAND Flash閃存芯片。首批32Gb芯片將主要被應用于記憶卡和USB存儲設備,未來會擴展到嵌入式產品領域。   隨著越來越多的移動設備在聲音和影像方面的逐步數字化,高容量、更小巧的內存產品在市場上的需求也越來越強勁。   新的芯片產品將在東芝位于日本三重縣四日市的工廠內制造。東芝公司將比原計劃提前2個月,從2009年7月起,大批量生產32Gb NAND Flash閃存芯片。16Gb產品則會從2009財年第三季度(2009年10月到12月)開
        • 關鍵字: 東芝  納米  閃存芯片  

        美光科技關廠、裁員、降薪

        •   北京時間10月10日消息,據國外媒體報道,半導體儲存及影像產品制造商美光科技(Micron Tech)表示,公司將會關閉位于美國愛達荷州首府博伊西(Boise)的NAND閃存芯片工廠,另外,作為電腦存儲芯片業務重組的一部分公司將在兩年內裁員15%。   美光科技目前的員工總數約為2.26萬人,此次裁員涉及總人數為2850人,其中1500人來自博伊西。   本周四,美光科技表示,消費者需求下降和產品過渡供應導致閃存芯片的售價低于成本,因此公司決定關閉位于博伊西的NAND閃存工廠,并于未來
        • 關鍵字: 半導體  美光科技  NAND閃存  閃存芯片  

        臺灣工研院建固態硬盤認證平臺

        •   固態硬盤(SSD)借低價電腦熱潮迅速興起,英特爾、三星等國際大廠結合NAND閃存芯片制造和技術優勢走在前列,臺系陣營為了急起直追,由當地工業情報機構工研院、測試廠百佳泰和臺廠合力發起的“SSD聯盟”(SSD Alliance)合作建立了一套測試認證平臺,希望藉此機會把SSD硬件測試平臺建立起來,為臺灣廠商臺廠搶占固態硬盤市場先機。   工研院電光所詹益仁表示,英特爾將推出容量高達80GB的SSD產品,2009年還將推出100GB產品,其他包括三星電子、東芝等廠商也都在積極介入
        • 關鍵字: 固態硬盤  NAND  閃存芯片  SSD  

        08年全球MP3/PMP將托起閃存芯片銷量

        •   MP3/PMP市場在經過4Q07傳統旺季的促銷熱賣,達到單季6,300萬臺以上的銷售紀錄后,1Q08在淡季因素的效應影響下,出貨量銳減至4,258萬臺。以目前全球MP3/PMP市場來看,Apple仍是MP3/PMP市場的領導品牌,今年第一季Apple在北美MP3/PMP市場的市占率達73%,全球市場其它的一線品牌尚包含Samsung、SanDisk、Sony、Creative與Philips等。   單以Apple目前的iPod系列產品來看,最引人關注的是高階機種iPod Touch在2008年2月
        • 關鍵字: 閃存芯片  MP3  PMP  NAND Flash  

        英特爾美光推指甲芯片 工藝最先進容量翻番

        •   【賽迪網訊】5月30日消息,當地時間本周四,英特爾和美光科技公布了它們聯合開發的將催生大容量廉價固態硬盤的34納米工藝、32Gb容量的NAND閃存芯片。   據國外媒體報道稱,新款閃存芯片的尺寸大小不及指甲蓋大小、利用300毫米晶圓片制造。英特爾官員稱,這款閃存芯片是當前工藝最先進的NAND閃存芯片,將為在小型設備上提供廉價、大容量的固態硬盤奠定基礎。   兩家公司計劃6月份交付樣品芯片,批量生產會在今年下半年開始。   據英特爾講,基于其新NAND閃存設計的一個32Gb芯片可以存儲2000張高
        • 關鍵字: 英特爾  美光科技  NAND  閃存芯片  

        大容量閃存芯片與DSP接口設計

        • K9K2G08U0M是三星公司的大容量閃存芯片,它的單片容量高達256MB。文中介紹了K9K2G08U0M的特性和使用方法,重點說明了與TI的TMS320F2812的硬件接口和軟件編程。
        • 關鍵字: DSP  大容量  閃存芯片  接口設計    
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        閃存芯片介紹

        閃存芯片 目錄 閃存芯片簡介閃存介紹 閃存的分類 閃存的速度其實很有限 NAND型閃存的技術特點擦除操作 尋址 決定NAND型閃存的因素1.頁數量 2.頁容量 3.塊容量 4.I/O位寬 5.頻率 6.制造工藝 閃存芯片簡介 閃存介紹 閃存的分類 閃存的速度其實很有限 NAND型閃存的技術特點 擦除操作 尋址 決定NAND型閃存的因素 1.頁數量 2.頁 [ 查看詳細 ]

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