- 德國的研究人員報告說，在分子束外延 （MBE） 期間使用的表面平滑技術提高了砷化銦 （InAs） 量子阱 （QW） 在砷化鎵 （GaAs） 襯底上的遷移率，特別是在低于 120K 的低溫下 [A. Aleksandrova et al， Appl. Phys. Lett.， v126， p232109， 2025]。來自柏林洪堡大學、Institut Kurz GmbH 和 Paul-Drude-Institut für Festk?rperelektronik 的團隊評論道：“隨著表面平滑的引
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GaAs InAs 量子阱 遷移率
- 遷移率是衡量半導體導電性能的重要參數，它決定半導體材料的電導率，影響器件的工作速度。已有很多文章對載流子遷移率的重要性進行研究，但對其測量方法卻少有提到。本文對載流子測量方法進行了小結。
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半導體材料 遷移率
遷移率介紹
遷移率
在電場作用下，半導體中的載流子作定向漂移運動,由此形成的電流稱為漂移電流。在電場強度不太大時，電子和空穴移動的速度（也稱漂移速度）vn、vp與電場強度E成正比，可表示為
vn=－mnE 或vp=mpE
式中，mn為電子遷移率；mp為空穴遷移率。遷移率m是單位電場強度引起的載流子的平均漂移速度，其數值與半導體的材料、摻雜濃度、溫度等有關。在室溫300K時，硅材料的mn =0.13 [
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