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提高GaAs襯底上InAs量子阱的遷移率
- 德國(guó)的研究人員報(bào)告說(shuō)，在分子束外延 （MBE） 期間使用的表面平滑技術(shù)提高了砷化銦 （InAs） 量子阱 （QW） 在砷化鎵 （GaAs） 襯底上的遷移率，特別是在低于 120K 的低溫下 [A. Aleksandrova et al， Appl. Phys. Lett.， v126， p232109， 2025]。來(lái)自柏林洪堡大學(xué)、Institut Kurz GmbH 和 Paul-Drude-Institut für Festk?rperelektronik 的團(tuán)隊(duì)評(píng)論道：“隨著表面平滑的引
- 關(guān)鍵字： GaAs InAs 量子阱 遷移率
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