超級結(jié)結(jié)構(gòu) 文章 進(jìn)入超級結(jié)結(jié)構(gòu)技術(shù)社區(qū)
東芝推出采用超級結(jié)結(jié)構(gòu)的600V N溝道功率MOSFET
- 中國上海，2023年6月13日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進(jìn)一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品線。該器件采用超級結(jié)結(jié)構(gòu)，耐壓600V，適用于數(shù)據(jù)中心、開關(guān)電源和光伏發(fā)電機功率調(diào)節(jié)器。該新產(chǎn)品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產(chǎn)品，于今日開始批量出貨。 通過對柵極設(shè)計和工藝進(jìn)行優(yōu)化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產(chǎn)品相比，600V DTMOSVI系列產(chǎn)品的單位面積漏源導(dǎo)通電阻降
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理解超級結(jié)技術(shù)
- 基于超級結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on)，同時具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前，高壓器件的主要設(shè)計平臺是基于平面技術(shù)。但高壓下的快速開關(guān)會產(chǎn)生AC/DC電源和逆變器方面的挑戰(zhàn)。從平面向超級結(jié)MOSFET過渡的設(shè)計工程師常常為了照顧電磁干擾(EMI)、尖峰電壓及噪聲考慮而犧牲開關(guān)速度。本應(yīng)用指南將比較兩種平臺的特征，以便充分理解和使用超級結(jié)技術(shù)的優(yōu)點。 為了理解兩種技術(shù)的差異，我
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超級結(jié)結(jié)構(gòu)介紹
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