- 提供業界領先的低通態電阻，使電池儲能和電源設備應用的電路設計更加簡化，性能得到提升。Littelfuse公司是一家工業技術制造公司，致力于為可持續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IXTN400N20X4和IXTN500N20X4超級結X4-Class功率MOSFET。這些新器件在當前200V X4-Class超級結MOSFET的基礎上進行擴展，有些具有最低導通電阻。這些MOSFET具有高電流額定值，設計人員能夠用來替換多個并聯的低額定電流器件，從而簡化設計流程，提高應用的可靠性和功率
- 關鍵字：
Littelfuse 超級結 功率MOSFET
- 平面式高壓MOSFET的結構
圖1顯示了一種傳統平面式高壓MOSFET的簡單結構。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導通電阻，并伴隨相對更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實現較低的RDS(on)值。但大單元密度和管芯尺寸還伴隨高柵極和輸出電荷，這會增加開關損耗和成本。另外還存在對于總硅片電阻能夠達到多低的限制。器件的總RDS(on)可表示為通道、epi和襯底三個分量之和：
RDS(on) = Rch + Repi + Rsub
圖1：傳統平面式MOSF
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MOSFET 超級結
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