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用于電源SiP的半橋MOSFET集成方案研究

• 系統(tǒng)級封裝（System in Package，SiP）設計理念是實現(xiàn)電源小型化的有效方法之一。然而，SiP空間有限，功率開關MOSFET的集成封裝方案對電源性能影響大。本文討論同步開關電源拓撲中的半橋MOSFET的不同布局方法，包括基板表面平鋪、腔體設計、3D堆疊等；以及不同的電源互連方式，包括鍵合、銅片夾扣等。從封裝尺寸、載流能力、熱阻、工藝復雜度、組裝維修等方面，對比了不同方案的優(yōu)缺點，為電源SiP的設計提供參考。
• 關鍵字： 系統(tǒng)級封裝  腔體  3D堆疊  鍵合  銅片夾扣  202112  MOSFET