- 邏輯LSI的基本元件——CMOS晶體管的發展估計將在2013年前后15nm工藝達到量產水平時迎來重大轉折點。將由現行的平面型晶體管向具備三維溝道的立體型晶體管過渡。美國英特爾及臺灣臺積電(TSMC)等知名半導體廠商均已開始表現出這種技術意向。LSI的制造技術發生巨變之后，估計也會對各公司的微細化競爭帶來影響。
元件材料及曝光技術也會出現轉折
“估計一多半的半導體廠商都會在15nm工藝時向FinFET過渡”(英特爾)。“在20nm以
- 關鍵字：
CMOS 15nm 立體晶體管
- 據electronicsweekly網站報道，臺積電公司近日宣稱已經開發出一套采用Finfet雙門立體晶體管技術制作的高性能22/20nm CMOS制程，并已經采用這種制程造出了面積僅0.1平方微米的SRAM單元(內含6個CMOS微晶體管)，據稱這種制程生產的芯片產品在0.45V工作 電壓條件下的信號噪聲僅為0.09V。
這種Finfet制程技術采用了雙外延(dual-epitaxy)和多重硅應變(multiple stressors，指應用多種應力源增強溝道載流子遷移率的技術)技術，臺積電宣稱
- 關鍵字：
臺積電 立體晶體管 20nm
立體晶體管介紹
您好，目前還沒有人創建詞條立體晶體管!
歡迎您創建該詞條，闡述對立體晶體管的理解，并與今后在此搜索立體晶體管的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
