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半大馬士革集成中引入空氣間隙結構面臨的挑戰

• l  隨著芯片制造商向3nm及以下節點邁進，后段模塊處理迎來挑戰l  半大馬士革集成方案中引入空氣間隙結構可能有助于縮短電阻電容的延遲時間 隨著器件微縮至3nm及以下節點，后段模塊處理迎來許多新的挑戰，這使芯片制造商開始考慮新的后段集成方案。 在3nm節點，最先進的銅金屬化將被低電阻、無需阻擋層的釕基后段金屬化所取代。這種向釕金屬化的轉變帶來減成圖形化這一新的選擇。這個方法也被稱為“半大馬士革集成”，結合了最小間距互連的減成圖形化與通孔結構的傳統大馬士革。 
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