- 山形富士通、富士通研究所、神奈川科學技術研究院（KAST）光科學重點研究所室益田研究小組共同努力，成功地以25nm間隔在氧化鋁上以一維方式排列出了納米孔（發布資料）。納米孔是通過陽極氧化形成的。不僅有望實現記錄密度達1Tbit/平米英寸的磁記錄，還能將硬盤磁記錄介質的記錄容量提高到現有產品的5倍以上。 在1月7日于美國巴爾的摩舉行的磁技術國際會議“JointMMM/Intermag Conference（MMM-
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07展望 磁盤記錄
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