硅升華 文章 最新資訊
速度提升百倍 美科學(xué)家在4英寸基體上制成石墨薄膜
- 美國賓夕法尼亞州立大學(xué)光電材料中心(Electro-Optics Center Materials Division：EOC)的研究人員最近成功地在4英寸(100mm)大小的基體上制成了石墨薄膜，這種石墨薄膜是由碳原子組成的平面薄膜，薄膜的厚度極薄，只有1-2個碳原子的厚度，相比傳統(tǒng)外延生長出來的硅膜，石墨薄膜內(nèi)部的碳原子組織結(jié)構(gòu)能夠極大地提高電路的電性能，電路的運行速度可達(dá)硅電路 的100倍。 由于在硅基體上直接生成石墨薄膜時，很難保證薄膜內(nèi)部碳原子結(jié)構(gòu)的一致性，因此過去科學(xué)家制造石墨電路的方
- 關(guān)鍵字： 硅電路 石墨薄膜 硅升華
| 共1條 1/1 1 |
硅升華介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條硅升華!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對硅升華的理解，并與今后在此搜索硅升華的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對硅升華的理解，并與今后在此搜索硅升華的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473