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PA 砷化鎵 CMOS 單芯片手機 SiCMOS
NEC電子日前完成了用于進行高速無線通信的便攜式設備、筆記本電腦、終端設備(terminal)的小型薄型高頻砷化鎵(GaAs)開關IC--“μPG2176T5N”的開發,并將于即日起開始發售該產品的樣品。
新產品是建立無線通信規格—移動WiMAX系統時必不可缺的切換開關芯片,它主要負責收發數據切換及天線切換。該產品被封裝在長1.5mm、寬1.5mm、高0.37mm的業界最小的超小型?薄型封裝內,其封裝面積約為與NEC電子現有產品的25%,厚度約為50%,實現了小型、薄型化。此外,新產品還具有高頻信號輸出
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工業控制 砷化鎵 開關IC NEC 工業控制
ANADIGICS一家無線及寬帶通訊綜合方案供應商,宣布其已與昆山高新技術產業園區(KSND)簽訂了投資合同,共同在中國江蘇省昆山市為 ANADIGICS, Inc. 建造一座新的先進的六英吋(6")砷化鎵(GaAs)集成電路(IC)晶圓制造廠,其目的是在新澤西州沃倫市該公司主要的晶圓制造廠以外擴大晶圓生產的能力。
預計 ANADIGICS, Inc. 將從2007年第四季度起的兩年內,包括2009年第一季度的初級生產階段,出資約一千萬至一千五百萬美元。ANADIGICS, Inc. 在該廠的存
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ANADIGICS 晶圓制造廠 砷化鎵 其他IC 制程
2002年11月,中國電子科技集團公司第四十六研究所率先研制成功直徑6英寸半絕緣砷化鎵單晶,實現了我國直徑6英寸半絕緣砷化鎵單晶研制零的突破。
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電子 砷化鎵
砷化鎵介紹
砷化鎵(英文名稱為Gallium arsenide,化學式為GaAs)是鎵和砷兩種元素所合成的化合物。也是很重要的半導體材料,被用來制作像微波集成電路(例如單晶微波集成電路( MMIC))、紅外線發光二極管、雷射二極管和太陽電池等元件。
砷化鎵的優點
GaAs擁有一些比Si還要好的電子特性,如高的飽和電子速率及高的電子移動率,使得GaAs可以用在高于250 GHz的場合。如果等效的GaA [
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