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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 砷化鎵

        砷化鎵 文章 進入砷化鎵技術社區

        CMOS PA陷入成本和性能兩難,“單芯片手機”夢受阻

        • 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
        • 關鍵字: PA  砷化鎵  CMOS  單芯片手機  SiCMOS  

        NEC電子推出業界最小的小型薄型砷化鎵(GaAs)開關IC

        • NEC電子日前完成了用于進行高速無線通信的便攜式設備、筆記本電腦、終端設備(terminal)的小型薄型高頻砷化鎵(GaAs)開關IC--“μPG2176T5N”的開發,并將于即日起開始發售該產品的樣品。 新產品是建立無線通信規格—移動WiMAX系統時必不可缺的切換開關芯片,它主要負責收發數據切換及天線切換。該產品被封裝在長1.5mm、寬1.5mm、高0.37mm的業界最小的超小型?薄型封裝內,其封裝面積約為與NEC電子現有產品的25%,厚度約為50%,實現了小型、薄型化。此外,新產品還具有高頻信號輸出
        • 關鍵字: 工業控制  砷化鎵  開關IC  NEC  工業控制  

        ANADIGICS與昆山高新技術產業園區共建砷化鎵晶圓制造廠

        •   ANADIGICS一家無線及寬帶通訊綜合方案供應商,宣布其已與昆山高新技術產業園區(KSND)簽訂了投資合同,共同在中國江蘇省昆山市為 ANADIGICS, Inc. 建造一座新的先進的六英吋(6")砷化鎵(GaAs)集成電路(IC)晶圓制造廠,其目的是在新澤西州沃倫市該公司主要的晶圓制造廠以外擴大晶圓生產的能力。   預計 ANADIGICS, Inc. 將從2007年第四季度起的兩年內,包括2009年第一季度的初級生產階段,出資約一千萬至一千五百萬美元。ANADIGICS, Inc. 在該廠的存
        • 關鍵字: ANADIGICS  晶圓制造廠  砷化鎵  其他IC  制程  

        2002年11月,我國直徑6英寸半絕緣砷化鎵單晶研制實現零突破

        •   2002年11月,中國電子科技集團公司第四十六研究所率先研制成功直徑6英寸半絕緣砷化鎵單晶,實現了我國直徑6英寸半絕緣砷化鎵單晶研制零的突破。
        • 關鍵字: 電子  砷化鎵  
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        砷化鎵介紹

        砷化鎵(英文名稱為Gallium arsenide,化學式為GaAs)是鎵和砷兩種元素所合成的化合物。也是很重要的半導體材料,被用來制作像微波集成電路(例如單晶微波集成電路( MMIC))、紅外線發光二極管、雷射二極管和太陽電池等元件。 砷化鎵的優點 GaAs擁有一些比Si還要好的電子特性,如高的飽和電子速率及高的電子移動率,使得GaAs可以用在高于250 GHz的場合。如果等效的GaA [ 查看詳細 ]

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