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        2002年11月,我國直徑6英寸半絕緣砷化鎵單晶研制實現零突破

        作者: 時間:2010-01-07 來源:電子產品世界 收藏
          2002年11月,中國科技集團公司第四十六研究所率先研制成功直徑6英寸半絕緣單晶,實現了我國直徑6英寸半絕緣單晶研制零的突破。

        關鍵詞: 電子 砷化鎵

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