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        相變化記憶體 文章 進入相變化記憶體技術社區

        三星電子和Numonyx將聯合開發下一代記憶體PCM

        •   6月24日消息,三星電子和Numonyx表示,雙方將聯合開發前途光明的下一代記憶體科技--相變化記憶體技術。   三星電子和Numonyx表示,雙方將合作開發PCM的通用規范,該技術有望用于高級聽筒、移動電話和電腦設備中。英特爾和意法半導體(STM去年合資組建了Numonyx.。三星電子和Numonyx稱,PCM讀寫速度非???,但耗電量卻低于傳統的NOR和NAND快閃記憶體。     三星電子和Numonyx還表示,雙方的通用規范將于今年完成,預計明年將推出兼容設備。
        • 關鍵字: 三星  NAND  NOR  PCM  相變化記憶體  
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        相變化記憶體介紹

          相變化記憶體名稱有很多種,包括PCM(Phase Change Memory)、PRAM(Phase-change RAM)等,英特爾、IBM 、意法和三星最先開發PCM,而三星宣布已開始量產512MbPRAM。PRAM是一種非易失性存儲技術,用的材料為硫系玻璃,基于硫族材料的電致相變?! ∪虻南嘧兓洃涹w分為3大陣營,包括恒憶(NumONyx)/英特爾(Intel)、三星電子(Samsun [ 查看詳細 ]

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