- 美國羅倫斯柏克萊國家實驗室的科學家開發出一種新的化學組裝方法，能夠實現僅有原子厚度的電晶體與電路，從而為下一代電子與電腦運算技術鋪路。
美國能源部羅倫斯柏克萊國家實驗室(Berkeley Lab)開發出一種結合采用2D石墨烯材料和二硫化鉬(MoS2)電晶體的組裝方法。
該方法在以石墨烯襯底的二氧化矽基板上蝕刻窄通道，接著再以過渡金屬二硫屬化物(TMDC)或更具體的是MoS2。這兩種材料均為只有一原子層的2D結構。這種合成方法能夠覆蓋幾平方公分大小的區域，從而開啟了在晶圓廠以晶圓實現商用規模
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電晶體
- 半導體的制造工藝已經是14nm，10nm工藝延后，半導體業界黃金法則摩爾定律已受質疑，不過Intel祭出法寶：量子井場效電晶體、銦鎵砷及應變鍺兩種新型半導體材料將會使摩爾定律持續下去。
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Intel 電晶體
- 過去二十幾年來，IBM已經為制作1.4nm的微型碳奈米管嘗試過幾乎每一種可能性了，期望能找到延續矽電晶體通道的方法。時至今日，最小的矽電晶體已經達到原子極限了——例如，4nm矽電晶體通道約由20個原子組成。為了進展到下一個矽晶世代，除了各種缺陷和摻雜不均的問題以外，業界還面臨著矽電晶體尺寸進一步縮小的挑戰。如果IBM或其他廠商——事實上，中國現正主導碳奈米管的研究——能夠實現最佳化的1.4nm電晶體通道，那么摩爾定律(Moore&
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IBM 電晶體
- 日經新聞26日報導，日本山形大學時任靜士等教授已成功研發出一套可藉由印刷的方式來制造OLED面板驅動元件( 電晶體 )的新技術。報導指出，藉由利用該新技術，則只要結合作為發光體的有機化合物和塑膠制面板，則OLED面板也可利用印刷技術進行量產，如此一來可將OLED面板的制造成本降至現行的1/10。據報導，該項新技術將于今(26)日在橫濱市舉行的日本化學會上發表，之后并計劃于5年后完成試作品。
報導指出，目前已開始應用于大尺寸電視的OLED面板主要采用矽制電晶體，且在制造電極時需使用高溫，故需花費大
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- Intel透露今年預計推出的Ivy Bridge將采用全新22nm的3D硅晶體技術，并且在接下來將進展到14nm，乃至于之后于2016年間也預計推出采用11nm制程的 “Skymont”平臺。而看起來IBM也將不甘落后，目前官方宣布已經發展低于10nm以下的9nm制程電晶體技術，并以碳元素為主要材質。
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IBM 9nm 電晶體
電晶體介紹
電晶體是現代電子電路的核心元件，主要功能是做電流的開關。和一般機械開關的區別在于電晶體是利用電信號來控制的，開關速度非常快，可以達到100GHz以上。 雙極性截面電晶體是利用兩個很接近的pn截面，電信號控制其中一個截面的注入載體，另一個截面收集載體，而載體形成的電流遠比控制信號的電流大，所以有所謂的電流增益?！ 鲂娋w則是控制信號造成的載體通道附近電廠改變，使通道特性發生變化，導致電流 [
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