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        電容器 文章 最新資訊

        日新電機推出使用電容器瞬低安全裝置

        •   日新電機將于2006年10月上市采用自主開發(fā)的電雙層電容器的瞬間電壓降低對策裝置(瞬低安全裝置)。瞬低安全裝置是用于補償由于雷擊等導致生產(chǎn)線電壓降低的裝置,此前該公司在市場上推出了使用鋁電解電容器和鉛蓄電池電源的裝置。日新電機表示:“將電雙層電容器用于電源,可以增加此前產(chǎn)品所不具備的優(yōu)點,從而增加新的產(chǎn)品。”    具體來說,使用電雙層電容器時,鋁電解電容器可將原來僅為0.35秒的補償時間延長為1~10秒,能夠更有把握地保護半導體工廠等重要生產(chǎn)線。另外,補償時間在1秒以上時,可以生產(chǎn)出比鋁電
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        凌特首款精確電壓基準無需輸出補償電容

        •     凌特推出業(yè)界首款采用纖巧型 3 引線 2mm x 2mm DFN 封裝的精確系列電壓基準LT6660。這些緊湊型器件將 0.2% 初始精度、20ppm 漂移與微功率操作結(jié)合在一起,僅需要不到一半的 SOT-23 封裝空間。此外,LT6660 無需輸出補償電容,在 PC 板級空間非常寶貴或者需要實現(xiàn)快速穩(wěn)定的場合,這是一個
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        ADI關(guān)態(tài)電容1.5pF小于1pC模擬開關(guān)

        •       ADI公司推出兩種工作在+/-12V或+/-15V的單刀雙擲(SPDT)模擬開關(guān)ADG1233和ADG1234,提供業(yè)界最低的電容和電荷注入.這兩種器件的關(guān)態(tài)電容為1.5pF,電荷注入小于1pC,使它們非常適合需要低的尖峰和快速設(shè)定時間的高端數(shù)據(jù)采集以及取樣保持應(yīng)用,器件的快速開/關(guān)速度(120/40ns)以及-3dB帶寬900MHz使它們也適合用在視頻開關(guān)(可能需要外接視頻緩沖器).開關(guān)的導通電阻為120歐姆,通道間電阻匹配為3.5
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        3M嵌入式電容介質(zhì)厚度達8μs

        •       3M電子日前宣布,其先進層壓、嵌入式電容材料達到RoHS指令要求,可幫助OEM和PCB制造商滿足車載、便攜式和軍用產(chǎn)品等空間受限的應(yīng)用設(shè)計需求。          3M介紹,其嵌入式電容材料的介質(zhì)厚度達到8μs、電容密度達到每平方英寸大于10nF,使之成為現(xiàn)有電路板嵌入式平面電容中最薄、電容密度最高的材料。該層壓材料使高速數(shù)字印刷電路板的設(shè)計人員
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        開關(guān)電容器現(xiàn)場可編程模擬陣列的頻域SPICE仿真

        • 根據(jù)C.F.KURTH和G.S.MOSCHYTZ采用z域四口等效電路對開關(guān)電容器網(wǎng)絡(luò)進行雙口分析的理論,以現(xiàn)場可編程模擬陣列實現(xiàn)的PID控制器為例
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        3M電子嵌入式電容符合RoHS指令厚8μs

        •      3M電子日前宣布,其先進層壓、嵌入式電容材料達到RoHS指令要求,可幫助OEM和PCB制造商滿足車載、便攜式和軍用產(chǎn)品等空間受限的應(yīng)用設(shè)計需求。      3M介紹,其嵌入式電容材料的介質(zhì)厚度達到8μs、電容密度達到每平方英寸大于10nF,使之成為現(xiàn)有電路板嵌入式平面電容中最薄、電容密度最高的材料。該層壓材料使高速數(shù)字印刷電路板的設(shè)計人員和制造商在實現(xiàn)高速設(shè)計的同時,簡化了設(shè)計。   &
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        東芝開發(fā)新型128MB電容器DRAM

        •    近日,日本東芝公司已經(jīng)在一個SOI(絕緣體上外延硅)晶圓上制造出一款128MB無輸出電容器DRAM芯片,正在對這款芯片進行測試運作。     東芝公司報告稱,去年二月份在最尖端半導體電路技術(shù)國際會議(ISSCC)上東芝公司報告了無輸出電容器DRAM芯片的設(shè)計和模擬效果。在本周舉行的電子裝置國際會議上,東芝公司展示了這款芯片的運作。聲稱是全球最大儲存密度無輸出電容器DRAM芯片。     無輸出電容器DRAM芯片是在絕緣薄膜下電池產(chǎn)生的浮體效
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        東芝開發(fā)新型電容器DRAM芯片

        •    近日,日本東芝公司已經(jīng)在一個SOI(絕緣體上外延硅)晶圓上制造出一款128MB無輸出電容器DRAM芯片,正在對這款 芯片進行測試運作。    東芝公司報告稱,去年二月份在最尖端半導體電路技術(shù)國際會議(ISSCC)上東芝公司報告了無輸出電容器DRAM芯片的設(shè)計和模擬效果。在本周舉行的電子裝置國際會議上,東芝公司展示了這款芯片的運作。聲稱是全球最大儲存密度無輸出電容器DRAM芯片。    無輸出電容器DRAM芯片是在絕緣薄膜下電池產(chǎn)生的浮體效應(yīng)取代了電容
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        AVX新電容可在125℃高溫下使用

        •     AVX的TCJ系列鉭電容近期新增幾款大電容器件,據(jù)稱可提供業(yè)內(nèi)最高等級的電容,有助于縮小封裝體積。   據(jù)介紹,TCJ系列電容的電容值(CV)比同類器件高出1至3級,工程師使用這些電容可以減小便攜器件的尺寸。0805尺寸電容在4V時電容值為100μF,1206尺寸在6.3V時為47μF,1210尺寸在6.3V時為10μF。   TCJ電容的工作電壓為12V,可在125℃高溫下使用。這些電容經(jīng)回流焊后仍能保持等效串聯(lián)電阻值(ESR),并可承受260℃回流焊溫度
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        凌特推出照相閃光燈電容充電器

        •  凌特推出LT3485系列照相閃光燈電容充電器集成電路,該器件集成了完整的照相閃光燈電容充電器和 IGBT 驅(qū)動器。LT3485 已獲得專利的控制技術(shù)允許它使用極小的“標準化”變壓器。無需外部組件設(shè)置輸出電壓。在充電時,一個與電容器電壓成正比的輸出可用來進行監(jiān)視。輸入電流被嚴格控制以提供一致的充電時間。    該系列器件用 1.8V 至 10V 的輸入電壓工作,非常適用于由兩節(jié) AA 堿性、單節(jié)鋰離子電池或
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        Syfer新型表面安裝貼片電容

        •     Syfer Technology近日推出系列表面安裝貼片電容,該產(chǎn)品采用傳統(tǒng)的錫/鉛端子,主要面向不受歐盟RoHS規(guī)范限制的應(yīng)用,包括軍事/航空、空間以及汽車等產(chǎn)品。   某些特殊應(yīng)用目前還未受到歐盟RoHS規(guī)范的限制,雖然采用錫制產(chǎn)品的可行性還在調(diào)研當中,但Syfer相信一些特定的應(yīng)用仍將繼續(xù)使用錫/鉛材料。   該公司提供的錫/鉛端子中含有不超過10/%的鉛,包括多種多層陶瓷貼片電容(MLCC)。容值范圍從0.45pF至82μF,工作電壓在16
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        Vishay推出新型鉭電容器僅2.5mm

        •     日前,Vishay宣布推出鉭電容器Sprague 592D系列,可在厚度僅2.5mm的封裝中提供3300μF電容。提供的該解決方案可取代在超薄應(yīng)用中使用多個低值電容器實現(xiàn)充足電容的方式。   Vishay采用“X”封裝尺寸的Sprague 592D共形敷膜(Conformal-Coated)固體鉭電容器主要面向PCMCIA卡、電源、線卡及手機等終端產(chǎn)品中的噪聲抑制、濾波、耦合及定時應(yīng)用。新型592D電容器使用戶無需并行使用多個電容器來滿足
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        利用開關(guān)電容濾波器實現(xiàn)抗混疊濾波

        •   帶外雜散信號所引起的混疊現(xiàn)象是A/D 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中所面臨的關(guān)鍵問題,如果沒有適當?shù)臑V波處理,這些信號會嚴重影響數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的性能指標。本文主要討論抗混疊濾波的原理及其對系統(tǒng)性能的影響。本文針對這一應(yīng)用,提供了一個開關(guān)電容濾波器設(shè)計范例,該方案具有極高的性價比。本文幾乎涵蓋了所有與高性能系統(tǒng)設(shè)計有關(guān)的重要參數(shù)和實際問題。   產(chǎn)生混疊的來源:這一點在奈奎斯特定理中給出了說明。奈奎斯特定理指出:時間連續(xù)信號轉(zhuǎn)換成離散信號時,需要在一個周期內(nèi)的采樣次數(shù)多于2 次。如果采樣次數(shù)不夠,將無法恢復丟失的信息。從
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        5V轉(zhuǎn)換成 -10V的簡單電路

        • 典型開關(guān)式電容器充電泵不需要電感器,因此容易設(shè)計,且能將正電壓加倍及將正電壓轉(zhuǎn)換成一個等效負電壓。但在某些應(yīng)用中,只有正電源可用,且電源系統(tǒng)必須產(chǎn)生一個幅度比正電源電壓幅度更大的負電壓。圖1所示電路可將其輸入電壓反相的同時將所得負電壓加倍。  通常,MAX889T電壓反相器IC1可將一個正輸入電壓轉(zhuǎn)換成一個絕對幅度低于其輸入值的負輸出電壓。但此電路中,肖特基二極管D1、D2及電容器C4與C5可幫助產(chǎn)生一個更高的輸出電壓。該電路的額定輸出為VOUT=-(2
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        高效照相閃光燈電容充電器

        •   2005 年 9 月 19 日 - 北京 - 凌特公司(Linear Technology)推出 LT3484 系列高效率、超快、照相閃光燈電容(典型值為 320V)充電器。這些集成電路設(shè)計成獨立器件,無需通常與其他照相閃光燈充電器解決方案有關(guān)的微處理器負載和大量軟件開發(fā)。   這個系列的照相閃光燈電容充電器 IC 是為空間十分寶貴的數(shù)碼相機和移動電話應(yīng)用而設(shè)計。LT3484 獲得專利的控制技術(shù)允許它使用極小的變壓器,而且其片上 NPN 電源開關(guān)無需外部肖特基二極管箝位,縮小了解決方案尺寸。由于變壓
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        電容器介紹

        電容器(capacitor)簡稱電容,也是組成電子電路的主要元件。它可以儲存電能,具有充電、放電及通交流、隔直流的特性。從某種意義上說,電容器有點像電池。盡管兩者的工作方式截然不同,但它們都能存儲電能。電池有兩個電極,在電池內(nèi)部,化學反應(yīng)使一個電極產(chǎn)生電子,另一個電極吸收電子。而電容器則要簡單得多,它不能產(chǎn)生電子——它只是存儲電子。它是各類電子設(shè)備大量使用的不可缺少的基本元件之一。各種電容器在電路 [ 查看詳細 ]

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