電子設(shè)計(jì)基礎(chǔ):電容文章進(jìn)入電子設(shè)計(jì)基礎(chǔ):電容技術(shù)社區(qū)

替代蓄電池的超級(jí)電容儲(chǔ)能模塊設(shè)計(jì)

引言電能是當(dāng)代社會(huì)不可或缺的重要資源，而儲(chǔ)能設(shè)備的優(yōu)劣直接影響著電力設(shè)備的充分應(yīng)用。近年來(lái)隨著便攜式設(shè)備、不間斷電源系統(tǒng)以及電動(dòng)車的大量開(kāi)發(fā)使用，蓄電池的使用量日益增加?？沙潆娦铍姵?，特別是鉛酸蓄電池
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電容觸摸屏系統(tǒng)設(shè)計(jì)中需要實(shí)際考慮的問(wèn)題

隨著消費(fèi)移動(dòng)通信設(shè)備越來(lái)越多地采用數(shù)字方式和集成更多的功能，對(duì)于設(shè)備的設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)，開(kāi)發(fā)直觀的創(chuàng)新型用戶接口(UI)方案變得更為重要。作為用戶接口設(shè)計(jì)的一部分，投射式電容觸摸屏有助于應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)。要設(shè)計(jì)
關(guān)鍵字：實(shí)際考慮問(wèn)題需要設(shè)計(jì) 觸摸屏系統(tǒng) 電容電容觸摸屏投射式防護(hù)層

投射式電容觸摸屏

iPhone以及Prada等較新較高端的觸摸屏手機(jī)所采用的技術(shù)。電容式觸控屏利用人體的電流感應(yīng)進(jìn)行工作。電容式觸控屏是一塊四層復(fù)合玻璃屏，玻璃屏的內(nèi)表面和夾層各涂有一層ITO(鍍膜導(dǎo)電玻璃)，最外層是一薄層矽土玻璃
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電容式電阻式觸摸屏為主流

依照感應(yīng)方式的不同，觸摸屏大致可以分為電阻式、電容式、紅外線式、超音波式四類。其中電阻式與電容式目前的市場(chǎng)前景最被看好，其他技術(shù)短期內(nèi)恐很難趕上。

就技術(shù)原理來(lái)看，電阻式觸摸屏只能算是一
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高性能音頻放大器的設(shè)計(jì)準(zhǔn)則與技巧

隨著高階的音訊系統(tǒng)的市場(chǎng)發(fā)展，專業(yè)級(jí)的放大器要求有更大的輸出功率、更高的線性度和更高的穩(wěn)定性。美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體音訊驅(qū)動(dòng)可為工程師們帶來(lái)更有價(jià)值的設(shè)計(jì)，使他們可創(chuàng)造出更多高性能和高度穩(wěn)定的音訊放大器系統(tǒng)。
關(guān)鍵字：放大器音頻準(zhǔn)則技巧設(shè)計(jì) 高性能電容電阻

TDK當(dāng)選 “2008中國(guó)電容器行業(yè)十大知名品牌”

　　　　　　　　　　　　　　　圖一　TDK當(dāng)選 “2008中國(guó)電容器行業(yè)十大知名品牌” 　　2008年11月8日，由國(guó)內(nèi)首家資訊上市公司慧聰網(wǎng)主辦的“2008中國(guó)電容器行業(yè)十大品牌與風(fēng)云人物評(píng)選頒獎(jiǎng)盛典暨電容行業(yè)發(fā)展高峰論壇”，在釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館芳菲廳隆重舉行。TDK中國(guó)憑借著雄厚的技術(shù)實(shí)力、強(qiáng)大的品牌影響力以及在中國(guó)市場(chǎng)作出的巨大貢獻(xiàn)，被評(píng)為“2008中國(guó)電容器行業(yè)十大知名品牌”。TDK中國(guó)上海技術(shù)經(jīng)理三浦誠(chéng)代表 T
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多種技術(shù)并存觸摸屏產(chǎn)業(yè)百家爭(zhēng)鳴

多種觸摸屏技術(shù)各有千秋 ·目前市場(chǎng)主流的觸摸屏解決方案有電阻式和電容式兩種，其他諸如紅外式觸摸屏、表面聲波式觸摸屏相對(duì)采用得較少。 ·不同的應(yīng)用對(duì)觸摸屏的需求不一樣，對(duì)于PND用戶，美觀、新穎、高精度是首選，對(duì)于車載應(yīng)用，亮度、反饋等是用戶考慮的主要因素。
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金融危機(jī)影響電子元器件市場(chǎng)

　　由于全球金融市場(chǎng)的大動(dòng)蕩，市場(chǎng)上幾乎沒(méi)有什么好消息，而要確定這次金融動(dòng)蕩對(duì)元器件市場(chǎng)的影響則更加困難。消費(fèi)者的信心己經(jīng)降到歷史低點(diǎn)，由于消費(fèi)市場(chǎng)占了元器件市場(chǎng)的70%以上，預(yù)計(jì)年底的假日消費(fèi)市場(chǎng)將會(huì)十分低迷，并最終導(dǎo)致電子元器件需求下降。通常，元器件市場(chǎng)是買方市場(chǎng)，對(duì)部分產(chǎn)品而言，買方一直占據(jù)著主導(dǎo)的位置。但是，由于原材料和能源價(jià)格的上漲，供貨商們面臨著成本上升，因此，電子元器件的價(jià)格也不會(huì)自動(dòng)地下降。　　盡管如此，元器件市場(chǎng)仍然有一線曙光：供貨商們對(duì)庫(kù)存的管理十分嚴(yán)格，因此，庫(kù)存會(huì)持續(xù)地下
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茂達(dá)電子推出低壓降線性降壓轉(zhuǎn)換器APL5601/5602

APL5601/2是低壓降(low dropout)的線性降壓轉(zhuǎn)換器，其輸入電壓可操作在2.9V至6V電壓范圍之間，且輸出電流可高達(dá)600mA﹔一般來(lái)說(shuō)當(dāng)輸出電流為600mA時(shí)，壓降為220mV。APL5601/2所需的靜態(tài)電流僅需140μA，非常適合電池系統(tǒng)上的應(yīng)用。APL5601/2的輸出電容僅需2.2μF，即可保持系統(tǒng)穩(wěn)定。APL5601/2內(nèi)建過(guò)電流保護(hù)(current limit) ，短路電流保護(hù)(short circuit curr
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電容漏泄的測(cè)量

　　電容器是幾乎所有電氣設(shè)備上都會(huì)用到的主要器件。漏阻是電容器被測(cè)試的眾多電氣特征中的一個(gè)。漏阻通常被稱為“IR”（Insulation Resistance，絕緣電阻），以“兆歐－微法”表示。在其它情況下，漏泄可能被表示為特定電壓（通常為工作電壓）下的漏泄電流。　　電容器的漏泄是通過(guò)向電容施加一個(gè)固定電壓，并測(cè)量產(chǎn)生的電流測(cè)得的。漏流將隨時(shí)間呈指數(shù)衰減，因此在測(cè)量電流之前，施加電壓必須達(dá)到一個(gè)已知的時(shí)間周期（保壓時(shí)間）。　　出于統(tǒng)計(jì)目的，必須測(cè)試一
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安森美半導(dǎo)體推出下一代高速電信設(shè)備用浪涌保護(hù)器件系列

　　2008年10月10日 – 全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)推出新的低電容晶閘管浪涌保護(hù)器件(TSPD)系列，專為保護(hù)下一代高速電信設(shè)備而設(shè)計(jì)。新器件杰出地平衡小尺寸和高浪涌能力，同時(shí)維持低電容和低泄漏，是先進(jìn)電信產(chǎn)品的極佳組合。　　NP0080、NP0120和NP0160低電容、低泄漏TSPD器件采用節(jié)省空間的TSOP-5封裝，保護(hù)數(shù)字用戶線路(DSL)芯片組和線路驅(qū)動(dòng)器。雖然在正常電路工
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Vishay 推出高性能、超小型4 線ESD保護(hù)陣列

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出最新小型 4 線 ESD 保護(hù)陣列 --- VBUS054CV-HS3，該器件可在高浪涌電流情況下提供低電容，以保護(hù)兩個(gè)高速 USB 端口或四個(gè)其它高頻信號(hào)線，以免它們受到瞬態(tài)電壓信號(hào)的損壞。　　VBUS054CV-HS3 采用占位面積為 1.6mm×1.6mm 且具有 0.75mm 超薄厚度的無(wú)鉛 LLP75 封裝，可將眾多便攜式電子設(shè)備中的有源 ESD 保護(hù)所需的板面空間縮減至最小，這些系統(tǒng)包括便攜式與手持式計(jì)算、通
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村田：不斷創(chuàng)新迎來(lái)更大發(fā)展空間

　　產(chǎn)品的革新。從1944年創(chuàng)立于日本京都的一家普通陶瓷作坊到如今執(zhí)全球電容、濾波器、傳感器牛耳的大公司，村田一直立足陶瓷材料，不斷創(chuàng)新，村田1944年開(kāi)發(fā)的鈦酸鋇陶瓷仍就是現(xiàn)今世界上仍然沿用的兩大電子材料之一，村田一直引領(lǐng)著MLCC的發(fā)展，如今，村田又發(fā)現(xiàn)原鈦酸鋇可以吸收CO2，這將為全球解決環(huán)境污染問(wèn)題作出重要貢獻(xiàn)。未來(lái)，村田研發(fā)的重點(diǎn)是哪些？村田如何和中國(guó)電子產(chǎn)業(yè)一起比翼齊飛？電容產(chǎn)品的未來(lái)發(fā)展如何？在深圳市創(chuàng)意時(shí)代會(huì)展有限公司策劃的“高交會(huì)電子展ELEXCON2008-行業(yè)領(lǐng)袖話中國(guó)&
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電壓不足期間支持電信電源的小電容

　　本設(shè)計(jì)實(shí)例介紹如何在短暫電壓不足期間使電信設(shè)備保持正常工作。首先必須了解電信設(shè)備專用電源的幾個(gè)細(xì)節(jié)。向電信設(shè)備饋電的電源的共模電壓為-48V，盡管實(shí)際電壓范圍可能是-42.5V ~ -56V、-40V ~ -60V，甚至超出這些范圍。公共電源——“磚塊”DC/DC轉(zhuǎn)換器工作于-36V ~ -75V范圍。當(dāng)-48V源降至0V并持續(xù)10ms時(shí)，就會(huì)出現(xiàn)電壓不足。　　利用連至“磚塊”輸入端的電容存儲(chǔ)裝置，是一條克服此問(wèn)題的路徑，但當(dāng)
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高隔離度X波段RF MEMS電容式并聯(lián)開(kāi)關(guān)

　　0 引言　　RF MEMS開(kāi)關(guān)在隔離度、插入損耗、功耗以及線性度等方面，具有比FET或pin二極管傳統(tǒng)微波固態(tài)開(kāi)關(guān)無(wú)法比擬的優(yōu)勢(shì)，從而獲得了廣泛的關(guān)注，并顯示出在微波應(yīng)用領(lǐng)域的巨大潛力。自1979年K.E.Petersen第一次報(bào)道RF MEMS開(kāi)關(guān)的應(yīng)用以來(lái)，業(yè)界已研制出很多不同結(jié)構(gòu)的RF MEMS開(kāi)關(guān)。無(wú)論是在隔離度還是在插入損耗上，RFMEMS電容式并聯(lián)開(kāi)關(guān)在Ka到W波段都表現(xiàn)出了良好的性能。但是，RF MEMS電容式開(kāi)關(guān)在低頻段的較低隔離度限制了其在X波段的應(yīng)用。為克服以上不足，J.B.
關(guān)鍵字： MEMS RF 電容開(kāi)關(guān)

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電子設(shè)計(jì)基礎(chǔ):電容介紹

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