電力電子芯片 文章 進(jìn)入電力電子芯片技術(shù)社區(qū)

西電廣研團(tuán)隊(duì)攻克1200V以上增強(qiáng)型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)

• 7月12日消息，近日，西安電子科技大學(xué)廣州研究院第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心郝躍院士、張進(jìn)成教授課題組李祥東團(tuán)隊(duì)在藍(lán)寶石基增強(qiáng)型e-GaN電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)研發(fā)方面取得突破性進(jìn)展。研發(fā)成果6英寸增強(qiáng)型e-GaN電力電子芯片以“p-GaN Gate HEMTs on 6 Inch Sapphire by CMOSCompatible Process: A Promising Game Chang
• 關(guān)鍵字： 氮化鎵  電力電子芯片