- 未來電力電子系統的設計將持續推進，以實現最高水平的性能和功率密度。為順應這一發展趨勢，英飛凌科技有限公司近日推出了全新的3.3 x 3.3 mm2?PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET，電壓范圍涵蓋25-150 V，并且有底部散熱（BSC）和雙面散熱（DSC）兩種不同的結構。該新產品系列在半導體器件級層面做出了重要的性能改進，為DC-DC功率轉換提供了極具吸引力的解決方案，同時也為服務器、通信、OR-ing、電池保護、電動工具以及充電器應用的系統創新開辟了新的可能性。該新產品系列采用了英飛凌
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英飛凌 源極底置 功率MOSFET
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