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        Vishay推出采用源極倒裝技術PowerPAK 1212-F封裝的TrenchFET 第五代功率MOSFET

        • 美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2024年2月20日 — 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出多功能新型30V n溝道TrenchFET? 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN,進一步提高工業、計算機、消費電子和通信應用的功率密度,增強熱性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源極倒裝技術3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-F封裝,10V柵極電壓條件下導
        • 關鍵字: Vishay  源極倒裝技術  PowerPAK  功率MOSFET  
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        源極倒裝技術介紹

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