現在，借助 TI 的全新在線選擇工具，您可以輕松快速地選擇最佳非隔離式 POL模塊與電容器。T2 系列寬輸入、非隔離式 POL 電源模塊采用 TI 申請專利的全新 TurboTrans 技術，能夠在瞬態負載條件下將輸出電容縮小到原來的1/8。
這款新工具使得用戶能夠輸入具體的設計參數（如 VIN、VOUT、IOUT、TA）及所需的電容器類型。然后，該工具會返回更改 T2 部件號、所需的輸出電容容量與類型，以及 TurboTrans 電阻器值
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模擬技術 電源技術 TI POL模塊 電容器 模擬IC 電源
德州儀器 (TI) 宣布推出一款采用 e-Trim™ 技術的超低噪聲、高精度單電源運算放大器 OPA376。該放大器在微小型封裝中實現了最大 25uA 的低偏移電壓與 5.5MHz 高帶寬的完美組合。此外，該器件還提供 7.5nV/sqrt Hz 的低噪聲密度與最大 950uA 的低靜態電流。上述特性提供了滿足 AC 與 DC
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近年來, 電力網中非線性負載的逐漸增加是全世界共同的趨勢，如變頻驅動或晶閘管整流直流驅動設備、計算機、重要負載所用的不間斷電源(UPS) 、節能熒光燈系統等，這些非線性負載將導致電網污染，電力品質下降，引起供用電設備故障, 甚至引發嚴重火災事故等。
電力污染及電力品質惡化主要表現在以下方面：電壓波動、浪涌沖擊、諧波、三相不平衡等。
1.電源污染的危害
電源污染會對用電設備造成嚴重危害，主要有：
干擾通訊設備、計算機系統等電子設備的正常工
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引言
高壓鈉燈（HPSL）[1]是高強度放電燈（HIDL——HighIntensityDischargeLamp）中的一種，因其具有極好的光效（80～140lm/W）和合適的光波長，而被廣泛用于戶外照明，如廣場、道路、碼頭等。但是，傳統的電感式的鎮流器存在功率因數低和自身損耗大的缺點。大量低功率因數電器的使用，對電網造成諧波污染，不但增加了供發電設備的負荷，使供發電設施得不到充分利用，而且嚴重影響其它用電設備的正常運行。
綠色照明事業在世界范圍的蓬勃發展
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Allegro 推出用于驅動器低電壓雙極無刷直流電動機的全新全橋式電動機驅動器。電動機整流可通過使用單個霍爾元件傳感器偵測極性交互環形磁鐵的旋轉位置來實現。高密度 CMOS 半導體工藝可確保整合所有必需的電子元件。有關電子元件包括霍爾元件傳感器、電動機控制電路及全橋式輸出。已采用低電壓設計技術實現低至 1.8 V VDD 的器件功能。該完全集成的單芯片解決方案可增強可靠性（包括電池反接保護及輸出短路保護），且無需任何外部支持元件。&nb
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奧地利微電子公司推出單/雙路LVDS驅動器，進一步擴展了低壓差分信號（LVDS）集成電路（IC）系列。 AS1154/56理想用于數字復印機、激光打印機、手機基站、電信交換機和網絡交換機/路由器等需要高速數據傳輸的設備。這兩款器件的電源電流是同類產品的一半，從而降低了LVDS接口的功耗。 新產品的推出再次彰顯了奧地利微電子公司在削減功耗方面的水平。在數據速率高達800Mbps的條件下，A
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美國國家半導體公司(NS)宣布推出業界最高準確度的可編程增益放大器，其特點是可以大幅提高傳感器接口應用及數據采集系統的信號調節性能，適用于工業設備及測量儀表等產品。 美國國家半導體這款型號為LMP8100A的可編程增益放大器利用軟件調節增益，增益則由1V/V至16V/V，共分為16個步級，以1V/V作為一步級增減，而且在攝氏-40度至 125度的工業溫度范圍內操作，增益準確度保證可達0.03%。此外，美國國家半導體也推出型號為LMP8100的半高精度級別可編
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飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出業界唯一保證工作電壓范圍在3.6V至1.1V的單比特位雙向電壓轉換器FXLH1T45，可簡化超便攜式、計算、通信和工業應用的設計。這款單比特位雙向電壓轉換器可在多個電壓級之間提供單向和雙向電壓轉換，從而實現在不同電壓級工作的處理器與電子子系統之間的無縫連接。FXLH1T45可工作于低至1.1V的電壓，非常適合超便攜式應用的低功耗要求。 FXLH1T45采用飛兆半導體的超緊湊 (1.0
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當今，面向電信及數據通信市場的先進電子系統大量依賴于高性能、精細線度數字IC（FPGA、DSP和/或ASIC）快速有效地處理對時間敏感的數字數據。對更高帶寬的需求已迫使這些數字IC的制造商追求領先的工藝技術，以便在將功耗降至最低時優化性能。但是，這一趨勢也產生了前幾代工藝中所沒有的多種電源管理問題。降低內核電壓電平提高負載電流，采用亞100納米工藝技術實現的更小芯片尺寸使這些IC中的電流密度急劇增加。此外，分離的電壓層與多核架構的使用還迫使系統設計人員提供更多的獨特電壓層，以及在這些電壓之間提供特定的排序
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1 引言
TPS54350是德州儀器(TI)新推出的一款內置MOSFET的高效DC／DC變換器．采用小型16引腳HISSOP封裝．連續輸出電流為3A時，輸入電壓范圍為4．5V~20V。該變換器極大地簡化了負載電源管理的設計，使得設計人員可直接通過中壓總線(而不依賴額外的低電壓總線)為數字信號處理器(DSP)、現場可編程門陣列(FPGA)及微處理器供電。TPS554350SWIFT(采用集成FET技術的開關)DC／DC變換器的效率高達90％以上，非常適用于低功耗工業與商用電源、帶液晶顯示屏(LCD)
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模擬技術 電源技術 TPS54350 DC/DC變換器 模擬IC 電源
開關電源變壓器是高頻開關電源的核心元件。其作用為：磁能轉換、電壓變換和絕緣隔離。開關變壓器性能的好壞不僅影響變壓器本身的發熱和效率，而且還會影響到高頻開關電源的技術性能和可靠性。高頻開關變壓器的設計主要包括兩部分：繞組設計及磁芯設計。本文將對應用在高頻下的單端正激變壓器的設計方法及磁芯的選擇給出較為詳細的論述。
1 單端正激變壓器原理
單端正激變壓器的原理圖如圖1所示。
單端正激變壓器又稱"buck"轉換器。因其在原邊
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反饋的基本概念
1 ．概述
反饋定義為：將放大電路輸出信號（電壓或電流）的部分或全部通過一定的電路（反饋電路）回送到輸入回路的反送過程。一個反饋放大器的框圖如圖 6.1 所示。
反饋放大電路的框圖
2 ．反饋放大器分類
(1) 根據輸出端取樣對象分類 可分為電壓反饋和電流反饋兩類。電壓反饋的反饋信號取自輸出電壓，反饋量與輸出電壓成正比。如圖 6.2 （ a ）和（ b ）。電流反饋的反饋信號取自輸出電流，反饋量與輸出電流成正比。如圖 8.2 （ c ）和（ d ）。
(2) 根據與
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反饋 模擬電子 電子技術 模擬IC
ＰＮ結的形成
（1）當Ｐ型半導體和Ｎ型半導體結合在一起時，由于交界面處存在 載流子濃度的差異 ，這樣電子和空穴都要 從濃度高的地方向濃度低的地方擴散 。但是，電子和空穴都是帶電的，它們擴散的結果就使Ｐ區和Ｎ區中原來的電中性條件破壞了。Ｐ區一側因失去空穴而留下不能移動的負離子，Ｎ區一側因失去電子而留下不能移動的正離子。這些不能移動的帶電粒子通常稱為 空間電荷 ，它們集中在Ｐ區和Ｎ區交界面附近，形成了一個很薄的空間電荷區，這就是我們所說的 ＰＮ結 。
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PN 結 模擬電子 電子技術 模擬IC
1 三極管的結構和分類
三極管在模擬電子電路中其主要作用是構成放大電路。
結構： 三個區、 二個結、 三個電極。
分類：三極管如按結構可分為 NPN 型和 PNP 型；按所用的半導體材料可分為硅管和鍺管；按功率可分為大、中、小功率管；按頻率特性可分為低頻管和高頻管等。
2 電流分配和放大作用
三極管放大條件：發射結正偏，集電結反偏。
1. 發射區發射電子形成 I E ＝ I B ＋ I C
2. 基區復合電子形成 I B
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半導體 三極管 模擬電子 模擬IC
絕緣柵場效應管的結構和符號
三極管稱電流控制元件；場效應管稱電壓控制元件。 場效應管具有輸入電阻高（最高可達 10 15 Ω）、噪聲低、熱穩定性好、抗輻射能力強、耗電省等優點。
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場效應管 模擬電子 電子技術 模擬IC
模擬ic介紹
模擬IC就是處理模擬信號的進程電路，比如，運算放大器，穩壓器等，其內部的主要晶體管大部分工作在放大狀態。其輸入輸出可以用外圍電路精確設定。
電子電路中的信號分為兩種，一種是數字（邏輯）信號，只有高低電平之分（1/0），另一種是模擬信號，是一種從低到高連續變化的電壓信號。前者如現在的手機和基站之間發送接收的信號、從CD/DVD光盤里讀出的信號等等；后者如半導體收音機調幅或調頻信號經解調后的音 [
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