柵極驅(qū)動(dòng)器文章最新資訊

意法半導(dǎo)體推出新款柵極驅(qū)動(dòng)器，適用于多種無刷電機(jī)

意法半導(dǎo)體推出新一代集成化柵極驅(qū)動(dòng)器STDRIVE102H和STDRIVE102BH，用于控制三相無刷電機(jī)，提高消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備的性能、能效和經(jīng)濟(jì)性。STDRIVE102H適用于單電阻電流采樣電機(jī)控制方案，而STDRIVE102BH適用于三電阻電流采樣電機(jī)控制設(shè)計(jì)，工作電壓范圍6V 至 50V，設(shè)計(jì)人員可以通過兩個(gè)模擬引腳輕松配置驅(qū)動(dòng)器，用一個(gè)簡單的電阻分壓器設(shè)置柵極驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)電流，無需使用柵極電阻，也可以限制開關(guān)速率。新款驅(qū)動(dòng)器具有低電流待機(jī)模式，可有效保護(hù)電池的性能，適用于無繩電動(dòng)工具和家電、電動(dòng)
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柵極驅(qū)動(dòng)器 — 功率器件性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)：第 3 部分

其他柵極驅(qū)動(dòng)器轉(zhuǎn)換器考慮因素柵極驅(qū)動(dòng)器 DC-DC 轉(zhuǎn)換器還有其他獨(dú)特的問題。其中包括：1）調(diào)節(jié)：當(dāng)器件不切換時(shí)，DC-DC 轉(zhuǎn)換器上的負(fù)載接近于零。然而，大多數(shù)傳統(tǒng)轉(zhuǎn)換器始終要求最小負(fù)載;否則，它們的輸出電壓會(huì)急劇增加，可能達(dá)到柵極擊穿水平。發(fā)生的情況是，這個(gè)高電壓存儲(chǔ)在大容量電容器上，因此當(dāng)器件開始切換時(shí)，它可能會(huì)出現(xiàn)柵極過壓，直到轉(zhuǎn)換器電平下降到正常負(fù)載下。因此，應(yīng)使用具有箝位輸出電壓或極低最小負(fù)載要求的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。2）啟動(dòng)和關(guān)斷：重要的是，在驅(qū)動(dòng)電路電壓軌達(dá)到指定值之前，I
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柵極驅(qū)動(dòng)器 — 功率器件性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)：第 1 部分

有效的 MOSFET/IGBT 器件開關(guān)取決于柵極驅(qū)動(dòng)器及其電源。從電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器到充電站和無數(shù)其他應(yīng)用，硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN） MOSFET等開關(guān)功率半導(dǎo)體以及絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是高效電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。但是，為了實(shí)現(xiàn)功率器件的最大性能，需要合適的柵極驅(qū)動(dòng)器。顧名思義，該元件的作用是驅(qū)動(dòng)功率器件柵極，快速、清晰地將其置于導(dǎo)通模式或?qū)⑵淅鰧?dǎo)通模式。這樣做要求驅(qū)動(dòng)器能夠拉出或吸收足夠的電流，盡管負(fù)載（柵極）存在內(nèi)部器件和雜散（寄生）電容、電感和其他
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IXD0579M高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器提供緊湊型即插即用解決方案

進(jìn)日宣布推出IXD0579M高速柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路。IXD0579M簡化了電路板設(shè)計(jì)，節(jié)省了空間，并為驅(qū)動(dòng)半橋配置中的N溝道MOSFET或IGBT提供了可靠的多源替代方案。IXD0579M設(shè)計(jì)用于在6.5 V至18 V的寬電源范圍內(nèi)工作，在單個(gè)緊湊的3×3 mm2 TDFN-10封裝中集成了一個(gè)自舉二極管和一個(gè)串聯(lián)限流電阻器，這些元件通常需要分立安裝。這種創(chuàng)新的集成設(shè)計(jì)減少了物料清單上的元件數(shù)量和成本，同時(shí)也簡化了PCB布局。主要產(chǎn)品特性和優(yōu)勢●? ?高驅(qū)動(dòng)能力：1.5 A拉電流和2.
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選擇柵極驅(qū)動(dòng)器IC時(shí)應(yīng)考慮哪些關(guān)鍵因素？

電源轉(zhuǎn)換是當(dāng)今幾乎所有電子設(shè)計(jì)的核心功能。理想情況下，將直流電壓（例如9 V）轉(zhuǎn)換為另一個(gè)電平（例如24 V）的過程應(yīng)盡可能高效，損耗應(yīng)盡可能小。為了應(yīng)對各種應(yīng)用的不同電壓、電流和功率密度需求，工程師開發(fā)了多種電路架構(gòu)（也就是拓?fù)洌τ贒C-DC電源轉(zhuǎn)換，可以使用降壓、升壓、降壓-升壓、半橋和全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。此外還得考慮輸出是否需要與輸入電壓進(jìn)行電氣隔離，由此便可將轉(zhuǎn)換方法分為兩類，即非隔離式和隔離式。對于高電壓和大電流用例，例如電機(jī)控制和太陽能逆變器，半橋和全橋DC-DC轉(zhuǎn)換技術(shù)是主流選擇。01半橋電
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意法半導(dǎo)體車規(guī)柵極驅(qū)動(dòng)器提升電動(dòng)汽車電驅(qū)系統(tǒng)的可擴(kuò)展性和性能

意法半導(dǎo)體的SiC MOSFET和IGBT電隔離車規(guī)柵極驅(qū)動(dòng)器STGAP4S可以靈活地控制不同額定功率的逆變器，集成可設(shè)置的安全保護(hù)和豐富的診斷功能，確保電驅(qū)系統(tǒng)通過ISO 26262 ASIL D認(rèn)證。STGAP4S驅(qū)動(dòng)器集成模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 和反激式電源控制器，功能豐富，取得了功能安全標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，適用于設(shè)計(jì)可擴(kuò)展的電動(dòng)汽車電驅(qū)系統(tǒng)。STGAP4S的設(shè)計(jì)靈活性歸功于輸出電路，該電路允許將高壓功率級(jí)連接到外部MOSFET的推挽式緩沖電路，以調(diào)整柵極電流。這種架構(gòu)讓工程師能夠利用STGAP4S及其豐富的
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Littelfuse推出適用于高頻功率應(yīng)用的IXD2012NTR高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器

Littelfuse公司是一家多元化的工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司今日宣部推出高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器IXD2012NTR，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)兩個(gè)采用半橋配置的N溝道MOSFET或IGBT。該IXD2012NTR針對高頻電源應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，具有卓越的開關(guān)性能和更高的設(shè)計(jì)靈活性。IXD2012NTR可在10V~20V的寬電壓范圍內(nèi)工作，并在自舉操作中支持高達(dá)200 V的高壓側(cè)開關(guān)，其邏輯輸入與低至3.3 V的標(biāo)準(zhǔn)TTL和CMOS電平兼容，可確保與各種控制設(shè)備無縫集成。
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EiceDRIVER? 650V+/-4A高壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器1ED21x7系列

英飛凌的新一代EiceDRIVER? 1ED21x7x 650V、+/-4A柵極驅(qū)動(dòng)器IC與其他產(chǎn)品相比，提供了一種更穩(wěn)健、更具性價(jià)比的解決方案。1ED21x7x是高電壓、大電流和高速柵極驅(qū)動(dòng)器，可用于Si/SiC功率MOSFET和IGBT開關(guān)，設(shè)計(jì)采用英飛凌的絕緣體上硅（SOI）技術(shù)。1ED21x7x具有出色的堅(jiān)固性和抗噪能力，能夠在負(fù)瞬態(tài)電壓高達(dá)-100V時(shí)保持工作邏輯穩(wěn)定。可用于高壓側(cè)或低壓側(cè)功率管驅(qū)動(dòng)。1ED21x7x系列非常適合驅(qū)動(dòng)多個(gè)開關(guān)并聯(lián)應(yīng)用，例如輕型電動(dòng)汽車。基于1ED21x7x
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浮地非隔離半橋柵極驅(qū)動(dòng)器

半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)廣泛用于各種商業(yè)和工業(yè)應(yīng)用的電源轉(zhuǎn)換器件中。這種開關(guān)模式配置的核心是柵極驅(qū)動(dòng)器IC，其主要功能是使用脈寬調(diào)制信號(hào)向高端和低端MOSFET功率開關(guān)提供干凈的電平轉(zhuǎn)換信號(hào)。本文重點(diǎn)介紹了工程師在為應(yīng)用選擇柵極驅(qū)動(dòng)器IC時(shí)應(yīng)考慮的關(guān)鍵因素。除了基本的電壓和電流額定值之外，本文還說明了高共模瞬變抗擾度的重要性和可調(diào)死區(qū)時(shí)間的必要性。某些用例要求將柵極驅(qū)動(dòng)器IC與MOSFET進(jìn)行電氣隔離，文中通過一個(gè)簡單的參考設(shè)計(jì)展示了這種浮地方法。
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GaN功率FET及背后柵極驅(qū)動(dòng)器在LiDAR傳感器中的作用

氮化鎵（GaN）功率器件因其超快的開關(guān)速度和有限的寄生效應(yīng)而成為 LiDAR 傳感器的核心構(gòu)建模塊之一，從而在高總線電壓和窄脈沖寬度下實(shí)現(xiàn)高峰值電流。為了迎來自動(dòng)駕駛汽車的未來，必須在車輛系統(tǒng)內(nèi)使用更先進(jìn)的傳感器。LiDAR 是檢測自動(dòng)駕駛汽車周圍物體存在的更廣泛使用的傳感器之一，它是光檢測和測距的縮寫，它從激光射出光并測量場景中的反射，有點(diǎn)像基于光的雷達(dá)。車輛的車載計(jì)算機(jī)可以使用這些數(shù)據(jù)來解釋汽車與周圍環(huán)境的關(guān)系以及道路上是否存在其他汽車和物體。LiDAR 傳感器必須基于一個(gè)非常快速的開關(guān)，該開關(guān)為
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SiC JFET并聯(lián)的五大難題，破解方法終于來了！

隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。我們將詳細(xì)介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內(nèi)容包括Cascode（共源共柵）關(guān)鍵參數(shù)和并聯(lián)振蕩的分析，以及設(shè)計(jì)指南。本文將繼續(xù)講解并聯(lián)的挑戰(zhàn)。并聯(lián)的挑戰(zhàn)在前文我們介紹并聯(lián)設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)如靜態(tài)電流失配、動(dòng)態(tài)電流失配，接下來將繼續(xù)講解其他挑戰(zhàn)。?并聯(lián)振蕩對于高增益、快速開關(guān)器件來說，并聯(lián)振蕩可能是一個(gè)問題。由于 SiC JFET cascode（簡稱cascode）內(nèi)部有兩個(gè)有源器件：一個(gè)低
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GD3162柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析：提供動(dòng)態(tài)柵極強(qiáng)度控制，提升EV牽引逆變器性能！

作為汽車電動(dòng)牽引逆變器柵極驅(qū)動(dòng)器的領(lǐng)先供應(yīng)商之一，恩智浦不斷推動(dòng)逆變器效率、功能安全和汽車性能的提升。恩智浦發(fā)布的?GD3162?具有動(dòng)態(tài)柵極驅(qū)動(dòng)功能，能夠在日益寬廣的工作范圍內(nèi)為先進(jìn)功率開關(guān)器件 (如碳化硅、氮化鎵等) 提供卓越開關(guān)性能。GD3162器件的動(dòng)態(tài)柵極強(qiáng)度控制不僅提高了逆變器的效率，還提供了強(qiáng)大的功能安全解決方案，同時(shí)改進(jìn)了典型硬件設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)，為功率器件保駕護(hù)航。電池和電動(dòng)牽引電機(jī)雖然是電動(dòng)汽車 (EV) 的標(biāo)志性特征，但這兩者的存在必然要求存在第三個(gè)同等重要的元素：牽引逆
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Nexperia推出新款120V/4A半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，進(jìn)一步提高工業(yè)和汽車應(yīng)用的魯棒性和效率

Nexperia近日宣布推出一系列高性能柵極驅(qū)動(dòng)器IC，可用于驅(qū)動(dòng)同步降壓或半橋配置中的高邊和低邊N溝道MOSFET。這些驅(qū)動(dòng)器包含車規(guī)級(jí)和工業(yè)級(jí)版本，性能上兼具高電流輸出和出色的動(dòng)態(tài)性能，可大幅提高應(yīng)用效率和魯棒性。其中，NGD4300-Q100達(dá)到車規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，非常適合電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向和電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用；NGD4300則設(shè)計(jì)用于消費(fèi)類設(shè)備、服務(wù)器和電信設(shè)備中的DC-DC轉(zhuǎn)換器以及各種工業(yè)應(yīng)用中的微型逆變器。這些IC中的高邊驅(qū)動(dòng)器可以在不超過120 V的直流總線電壓下工作，其中集成了二極管的自舉電源有助于縮小P
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貿(mào)澤電子新品推薦：2024年第三季度推出將近7000個(gè)新物料

作為全球原廠授權(quán)代理商，貿(mào)澤電子(Mouser Electronics)?致力于快速引入新產(chǎn)品與新技術(shù)，為客戶提供優(yōu)勢，協(xié)助加快產(chǎn)品上市速度。超過1200家半導(dǎo)體和電子元器件制造商通過貿(mào)澤將自己的產(chǎn)品銷往全球市場。貿(mào)澤旨在為客戶提供全面認(rèn)證的原廠產(chǎn)品，并提供全方位的制造商可追溯性。貿(mào)澤于上個(gè)季度推出了超過6500個(gè)物料，均可隨時(shí)發(fā)貨。貿(mào)澤從2024年7月至9月引入的部分產(chǎn)品包括：●? ?安森美NCx51152隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器安森美NCx51152是單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，專為
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高壓柵極驅(qū)動(dòng)器的功率耗散和散熱分析，一文get√

高頻率開關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，可能會(huì)產(chǎn)生大量的耗散功率。因此，需要確認(rèn)驅(qū)動(dòng)器功率耗散和由此產(chǎn)生的結(jié)溫，確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。高壓柵極驅(qū)動(dòng)集成電路（HVIC）是專為半橋開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)的高邊和低邊柵極驅(qū)動(dòng)集成電路，驅(qū)動(dòng)高壓、高速M(fèi)OSFET 而設(shè)計(jì)。《高壓柵極驅(qū)動(dòng)器的功率耗散和散熱分析》白皮書從靜態(tài)功率損耗分析、動(dòng)態(tài)功率損耗分析、柵極驅(qū)動(dòng)損耗分析等方面進(jìn)行了全面介紹。圖 1 顯示了 HVIC 的典型內(nèi)部框圖。主要功能模塊包括輸入級(jí)、欠壓鎖定保護(hù)、電平轉(zhuǎn)換器和輸出驅(qū)動(dòng)級(jí)。柵極驅(qū)動(dòng)器損耗
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