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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 柵極驅動器

        柵極驅動器 文章 最新資訊

        意法半導體推出新款柵極驅動器,適用于多種無刷電機

        • 意法半導體推出新一代集成化柵極驅動器STDRIVE102H和STDRIVE102BH,用于控制三相無刷電機,提高消費電子和工業設備的性能、能效和經濟性。STDRIVE102H適用于單電阻電流采樣電機控制方案,而STDRIVE102BH適用于三電阻電流采樣電機控制設計,工作電壓范圍6V 至 50V,設計人員可以通過兩個模擬引腳輕松配置驅動器,用一個簡單的電阻分壓器設置柵極驅動器的驅動電流,無需使用柵極電阻,也可以限制開關速率。新款驅動器具有低電流待機模式,可有效保護電池的性能,適用于無繩電動工具和家電、電動
        • 關鍵字: 意法半導體  柵極驅動器  移動機器人  無刷電機  

        柵極驅動器 — 功率器件性能的關鍵環節:第 3 部分

        • 其他柵極驅動器轉換器考慮因素柵極驅動器 DC-DC 轉換器還有其他獨特的問題。其中包括:1) 調節:當器件不切換時,DC-DC 轉換器上的負載接近于零。然而,大多數傳統轉換器始終要求最小負載;否則,它們的輸出電壓會急劇增加,可能達到柵極擊穿水平。發生的情況是,這個高電壓存儲在大容量電容器上,因此當器件開始切換時,它可能會出現柵極過壓,直到轉換器電平下降到正常負載下。因此,應使用具有箝位輸出電壓或極低最小負載要求的 DC-DC 轉換器。2) 啟動和關斷:重要的是,在驅動電路電壓軌達到指定值之前,I
        • 關鍵字: 柵極驅動器  功率器件  

        柵極驅動器 — 功率器件性能的關鍵環節:第 1 部分

        • 有效的 MOSFET/IGBT 器件開關取決于柵極驅動器及其電源。從電源和電機驅動器到充電站和無數其他應用,硅 (Si)、碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) MOSFET等開關功率半導體以及絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是高效電源系統設計的關鍵。但是,為了實現功率器件的最大性能,需要合適的柵極驅動器。顧名思義,該元件的作用是驅動功率器件柵極,快速、清晰地將其置于導通模式或將其拉出導通模式。這樣做要求驅動器能夠拉出或吸收足夠的電流,盡管負載(柵極)存在內部器件和雜散(寄生)電容、電感和其他
        • 關鍵字: 柵極驅動器  功率器件  

        IXD0579M高壓側和低壓側柵極驅動器提供緊湊型即插即用解決方案

        • 進日宣布推出IXD0579M高速柵極驅動器集成電路。IXD0579M簡化了電路板設計,節省了空間,并為驅動半橋配置中的N溝道MOSFET或IGBT提供了可靠的多源替代方案。IXD0579M設計用于在6.5 V至18 V的寬電源范圍內工作,在單個緊湊的3×3 mm2 TDFN-10封裝中集成了一個自舉二極管和一個串聯限流電阻器,這些元件通常需要分立安裝。這種創新的集成設計減少了物料清單上的元件數量和成本,同時也簡化了PCB布局。主要產品特性和優勢●? ?高驅動能力:1.5 A拉電流和2.
        • 關鍵字: 柵極驅動器  Littelfuse  力特  

        選擇柵極驅動器IC時應考慮哪些關鍵因素?

        • 電源轉換是當今幾乎所有電子設計的核心功能。理想情況下,將直流電壓(例如9 V)轉換為另一個電平(例如24 V)的過程應盡可能高效,損耗應盡可能小。為了應對各種應用的不同電壓、電流和功率密度需求,工程師開發了多種電路架構(也就 是拓撲)。對于DC-DC電源轉換,可以使用降壓、升壓、降壓-升壓、半橋和全橋拓撲結構。此外還得考慮輸出是否需要與輸入電壓進行電氣隔離,由此便可將轉換方法分為兩類,即非隔離式和隔離式。對于高電壓和大電流用例,例如電機控制和太陽能逆變器,半橋和全橋DC-DC轉換技術是主流選擇。01半橋電
        • 關鍵字: ADI  柵極驅動器  

        意法半導體車規柵極驅動器提升電動汽車電驅系統的可擴展性和性能

        • 意法半導體的SiC MOSFET和IGBT電隔離車規柵極驅動器STGAP4S可以靈活地控制不同額定功率的逆變器,集成可設置的安全保護和豐富的診斷功能,確保電驅系統通過ISO 26262 ASIL D認證。STGAP4S驅動器集成模數轉換器 (ADC) 和反激式電源控制器,功能豐富,取得了功能安全標準認證,適用于設計可擴展的電動汽車電驅系統。STGAP4S的設計靈活性歸功于輸出電路,該電路允許將高壓功率級連接到外部MOSFET的推挽式緩沖電路,以調整柵極電流。這種架構讓工程師能夠利用STGAP4S及其豐富的
        • 關鍵字: 意法半導體  柵極驅動器  電驅  

        Littelfuse推出適用于高頻功率應用的IXD2012NTR高壓側和低壓側柵極驅動器

        • Littelfuse公司是一家多元化的工業技術制造公司,致力于為可持續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司今日宣部推出高壓側和低壓側柵極驅動器IXD2012NTR,設計用于驅動兩個采用半橋配置的N溝道MOSFET或IGBT。該IXD2012NTR針對高頻電源應用進行了優化,具有卓越的開關性能和更高的設計靈活性。IXD2012NTR可在10V~20V的寬電壓范圍內工作,并在自舉操作中支持高達200 V的高壓側開關,其邏輯輸入與低至3.3 V的標準TTL和CMOS電平兼容,可確保與各種控制設備無縫集成。
        • 關鍵字: 高頻功率應用.柵極驅動器  Littelfuse  

        EiceDRIVER? 650V+/-4A高壓側柵極驅動器1ED21x7系列

        • 英飛凌的新一代EiceDRIVER? 1ED21x7x 650V、+/-4A柵極驅動器IC與其他產品相比,提供了一種更穩健、更具性價比的解決方案。1ED21x7x是高電壓、大電流和高速柵極驅動器,可用于Si/SiC功率MOSFET和IGBT開關,設計采用英飛凌的絕緣體上硅(SOI)技術。1ED21x7x具有出色的堅固性和抗噪能力,能夠在負瞬態電壓高達-100V時保持工作邏輯穩定。可用于高壓側或低壓側功率管驅動。1ED21x7x系列非常適合驅動多個開關并聯應用,例如輕型電動汽車。基于1ED21x7x
        • 關鍵字: 柵極驅動器  IC  

        浮地非隔離半橋柵極驅動器

        • 半橋拓撲結構廣泛用于各種商業和工業應用的電源轉換器件中。這種開關模式配置的核心是柵極驅動器IC,其主要功能是使用脈寬調制信號向高端和低端MOSFET功率開關提供干凈的電平轉換信號。本文重點介紹了工程師在為應用選擇柵極驅動器IC時應考慮的關鍵因素。除了基本的電壓和電流額定值之外,本文還說明了高共模瞬變抗擾度的重要性和可調死區時間的必要性。某些用例要求將柵極驅動器IC與MOSFET進行電氣隔離,文中通過一個簡單的參考設計展示了這種浮地方法。
        • 關鍵字: 浮地非隔離  半橋柵極驅動器  ADI  柵極驅動器  

        GaN功率FET及背后柵極驅動器在LiDAR傳感器中的作用

        • 氮化鎵 (GaN) 功率器件因其超快的開關速度和有限的寄生效應而成為 LiDAR 傳感器的核心構建模塊之一,從而在高總線電壓和窄脈沖寬度下實現高峰值電流。為了迎來自動駕駛汽車的未來,必須在車輛系統內使用更先進的傳感器。LiDAR 是檢測自動駕駛汽車周圍物體存在的更廣泛使用的傳感器之一,它是光檢測和測距的縮寫,它從激光射出光并測量場景中的反射,有點像基于光的雷達。車輛的車載計算機可以使用這些數據來解釋汽車與周圍環境的關系以及道路上是否存在其他汽車和物體。LiDAR 傳感器必須基于一個非常快速的開關,該開關為
        • 關鍵字: GaN  功率FET  柵極驅動器  LiDAR  傳感器  

        SiC JFET并聯的五大難題,破解方法終于來了!

        • 隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能,能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。我們將詳細介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET,內容包括Cascode(共源共柵)關鍵參數和并聯振蕩的分析,以及設計指南。本文將繼續講解并聯的挑戰。并聯的挑戰在前文我們介紹并聯設計的挑戰如靜態電流失配、動態電流失配,接下來將繼續講解其他挑戰。?并聯振蕩對于高增益、快速開關器件來說,并聯振蕩可能是一個問題。由于 SiC JFET cascode(簡稱cascode)內部有兩個有源器件:一個低
        • 關鍵字: 設計指南  并聯振蕩  柵極驅動器  

        GD3162柵極驅動器技術解析:提供動態柵極強度控制,提升EV牽引逆變器性能!

        • 作為汽車電動牽引逆變器柵極驅動器的領先供應商之一,恩智浦不斷推動逆變器效率、功能安全和汽車性能的提升。恩智浦發布的?GD3162?具有動態柵極驅動功能,能夠在日益寬廣的工作范圍內為先進功率開關器件 (如碳化硅、氮化鎵等) 提供卓越開關性能。GD3162器件的動態柵極強度控制不僅提高了逆變器的效率,還提供了強大的功能安全解決方案,同時改進了典型硬件設計標準,為功率器件保駕護航。電池和電動牽引電機雖然是電動汽車 (EV) 的標志性特征,但這兩者的存在必然要求存在第三個同等重要的元素:牽引逆
        • 關鍵字: NXP  GD3162  柵極驅動器  EV  牽引逆變器  

        Nexperia推出新款120V/4A半橋柵極驅動器,進一步提高工業和汽車應用的魯棒性和效率

        • Nexperia近日宣布推出一系列高性能柵極驅動器IC,可用于驅動同步降壓或半橋配置中的高邊和低邊N溝道MOSFET。這些驅動器包含車規級和工業級版本,性能上兼具高電流輸出和出色的動態性能,可大幅提高應用效率和魯棒性。其中,NGD4300-Q100達到車規級標準,非常適合電動助力轉向和電源轉換器應用;NGD4300則設計用于消費類設備、服務器和電信設備中的DC-DC轉換器以及各種工業應用中的微型逆變器。這些IC中的高邊驅動器可以在不超過120 V的直流總線電壓下工作,其中集成了二極管的自舉電源有助于縮小P
        • 關鍵字: Nexperia  柵極驅動器  

        貿澤電子新品推薦:2024年第三季度推出將近7000個新物料

        • 作為全球原廠授權代理商,貿澤電子(Mouser Electronics)?致力于快速引入新產品與新技術,為客戶提供優勢,協助加快產品上市速度。超過1200家半導體和電子元器件制造商通過貿澤將自己的產品銷往全球市場。貿澤旨在為客戶提供全面認證的原廠產品,并提供全方位的制造商可追溯性。貿澤于上個季度推出了超過6500個物料,均可隨時發貨。貿澤從2024年7月至9月引入的部分產品包括:●? ?安森美NCx51152隔離式單通道柵極驅動器安森美NCx51152是單通道柵極驅動器,專為
        • 關鍵字: 貿澤  柵極驅動器  

        高壓柵極驅動器的功率耗散和散熱分析,一文get√

        • 高頻率開關的MOSFET和IGBT柵極驅動器,可能會產生大量的耗散功率。因此,需要確認驅動器功率耗散和由此產生的結溫,確保器件在可接受的溫度范圍內工作。高壓柵極驅動集成電路(HVIC)是專為半橋開關應用設計的高邊和低邊柵極驅動集成電路,驅動高壓、高速MOSFET 而設計。《高壓柵極驅動器的功率耗散和散熱分析》白皮書從靜態功率損耗分析、動態功率損耗分析、柵極驅動損耗分析等方面進行了全面介紹。圖 1 顯示了 HVIC 的典型內部框圖。主要功能模塊包括輸入級、欠壓鎖定保護、電平轉換器和輸出驅動級。柵極驅動器損耗
        • 關鍵字: MOSFET  IGBT  柵極驅動器  功率耗散  
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