EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
晶閘管
晶閘管 文章 進(jìn)入晶閘管技術(shù)社區(qū)
低壓無(wú)功補(bǔ)償中晶閘管電子開(kāi)關(guān)模塊的特點(diǎn)與應(yīng)用
- 分析了低壓無(wú)功補(bǔ)償裝置的開(kāi)關(guān)特點(diǎn)，介紹了交流接觸器以及新型晶閘管電子開(kāi)關(guān)模塊在無(wú)功補(bǔ)償裝置中的優(yōu)缺點(diǎn)，同時(shí)對(duì)晶閘管電子開(kāi)關(guān)模塊在用于投切時(shí)的情況進(jìn)行了模擬試驗(yàn)，并給出了相關(guān)的波形。
- 關(guān)鍵字： 低壓無(wú)功補(bǔ)償 晶閘管 電子開(kāi)關(guān) 模塊
晶閘管SCR觸發(fā)驅(qū)動(dòng)器及電路
- 晶閘管SCR觸發(fā)驅(qū)動(dòng)器及電路為觸發(fā)SCR開(kāi)通，門極脈沖電流必須有足夠大的幅度和持續(xù)時(shí)間，以及盡可能短的電流上升時(shí)間。采用脈沖變壓器（PTR）和晶體管放大器（TRA）的驅(qū)動(dòng)器如右圖所示。
左圖為SCR的一個(gè)簡(jiǎn)單光電隔離 - 關(guān)鍵字： SCR 晶閘管 觸發(fā)驅(qū)動(dòng)器 電路
晶閘管及IGBT在靜止變頻技術(shù)中的應(yīng)用
- 關(guān)鍵字： 靜止變頻技術(shù) 功率器件 晶閘管 IGBT
中國(guó)南車建成最大的大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地
- 新聞事件： 中國(guó)南車建成最大的大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地 事件影響： 國(guó)內(nèi)最大的大功率半導(dǎo)體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地在中國(guó)南車正式投產(chǎn) 9月8日，隨著第一批高壓大功率晶閘管正式投片，國(guó)內(nèi)最大的大功率半導(dǎo)體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地在中國(guó)南車正式投產(chǎn)。 為滿足國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展的急切需求，打破國(guó)外公司的市場(chǎng)壟斷，推動(dòng)大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上水平、上規(guī)模，中國(guó)南車旗下的株洲南車時(shí)代電氣股份有限公司(南車時(shí)代電氣)依托公司良好的技術(shù)基礎(chǔ)，總投資近3.5億元，于2006年年底
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 晶閘管 IGBT封裝
中國(guó)最大大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地在湖南株洲投產(chǎn)
- 中國(guó)最大的大尺寸功率半導(dǎo)體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地近日在湖南株洲正式投產(chǎn)。長(zhǎng)期以來(lái)，高端半導(dǎo)體器件技術(shù)和市場(chǎng)一直被國(guó)外壟斷，該基地的投產(chǎn)運(yùn)行將加速推動(dòng)國(guó)產(chǎn)化大功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。 大尺寸功率半導(dǎo)體器件(晶閘管、IGBT、IGCT均屬于大尺寸功率半導(dǎo)體器件)是變流器的關(guān)鍵元件，被譽(yù)為電力電子產(chǎn)品的“CPU”，廣泛用于軌道交通、電力(高壓直流輸電、風(fēng)力發(fā)電)、化工、冶煉等領(lǐng)域。長(zhǎng)期以來(lái)，國(guó)內(nèi)高端半導(dǎo)體器件技術(shù)和產(chǎn)品主要依靠進(jìn)口，價(jià)格昂貴，嚴(yán)重制約民族工業(yè)的快速發(fā)展。
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 晶閘管 IGBT
ST推出高溫柵靈敏型雙向晶閘管
- 晶閘管和雙向晶閘管市場(chǎng)領(lǐng)先廠商意法半導(dǎo)體推出首款柵靈敏度10mA、額定工作溫度高達(dá)150℃的雙向晶閘管。通過(guò)節(jié)省散熱器、柵驅(qū)動(dòng)電源和緩沖電路，新產(chǎn)品可以讓設(shè)計(jì)人員為加熱器、電機(jī)、小家電開(kāi)發(fā)低成本的電源驅(qū)動(dòng)解決方案。 全新產(chǎn)品T410H、T610H、T810H和T1010H的最大額定電流分別為4A、6A、8A和10A。10mA的低柵電流讓雙向晶閘管可直接進(jìn)行邏輯級(jí)開(kāi)關(guān)操作，這個(gè)優(yōu)點(diǎn)可減少元器件的數(shù)量，降低電源的尺寸和成本。此外，柵電流低還可以讓晶閘管保持高動(dòng)態(tài)性能，在150℃時(shí)，可以保持最小額
- 關(guān)鍵字： ST 晶閘管 電源驅(qū)動(dòng) 緩沖電路
一種基于TCF792的晶閘管整流電路的設(shè)計(jì)
- 1 引言 TCF92A、CF792B是單相、三相通用數(shù)字相位控制觸發(fā)電路。該系列器件具有單相同步輸入信號(hào)和數(shù)字 ...
- 關(guān)鍵字： 整流電路 晶閘管 相位 控制/軟啟動(dòng) TCF792
晶閘管(SCR)原理
- 晶閘管(thyristor)是硅晶體閘流管的簡(jiǎn)稱，俗稱可控硅（SCR），其正式名稱應(yīng)是反向阻斷三端晶閘管。除此之外，在普通晶閘管的基礎(chǔ)上還派生出許多新型器件，它們是工作頻率較高的快速晶閘管(fast switching thyristor，F(xiàn)ST)、反向?qū)ǖ哪鎸?dǎo)晶閘管(reverse conducting thyristor，RCT)、兩個(gè)方向都具有開(kāi)關(guān)特性的雙向晶閘管(TRIAC)、門極可以自行關(guān)斷的門極可關(guān)斷晶閘管（gate turn off thyristor，GTO）、門極輔助關(guān)斷晶閘管(g
- 關(guān)鍵字： 晶閘管 半導(dǎo)體材料
晶閘管的保護(hù)措施
- 1、 過(guò)電壓保護(hù) 晶閘管對(duì)過(guò)電壓很敏感，當(dāng)正向電壓超過(guò)其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時(shí)晶閘管就會(huì)誤導(dǎo)通，引發(fā)電路故障；當(dāng)外加反向電壓超過(guò)其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時(shí)，晶閘管就會(huì)立即損壞。因此，必須研究過(guò)電壓的產(chǎn)生原因及抑制過(guò)電壓的方法。 過(guò)電壓產(chǎn)生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲(chǔ)能發(fā)生了激烈的變化，使得系統(tǒng)來(lái)不及轉(zhuǎn)換，或者系統(tǒng)中原來(lái)積聚的電磁能量來(lái)不及消散而造成的。主要發(fā)現(xiàn)為雷擊等外來(lái)沖擊引起的過(guò)電壓和開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉引起的沖擊電壓兩種類型。由雷擊或高壓斷路器動(dòng)作等產(chǎn)生的過(guò)電壓是幾微秒至幾
- 關(guān)鍵字： 晶閘管 半導(dǎo)體材料
晶閘管介紹
全稱晶體閘流管。俗稱可控硅。一種包含3個(gè)或3個(gè)以上PN結(jié)，能從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)，或由通態(tài)轉(zhuǎn)入斷態(tài)的雙穩(wěn)態(tài)電力電子器件。它泛指所有PNPN類型的開(kāi)關(guān)管，也可表示這類開(kāi)關(guān)管中的任一器件。自1957年美國(guó)貝爾電話實(shí)驗(yàn)室將第一只晶閘管用于工業(yè)領(lǐng)域以來(lái)，由于它的優(yōu)異性能，很快受到各國(guó)重視。隨著新材料的出現(xiàn)，新工藝的采用，單只晶閘管的電流容量從幾安發(fā)展到幾千安，耐壓等級(jí)從幾百伏提高到幾千伏，工作頻率大大提高，器件 [ 查看詳細(xì) ]
晶閘管相關(guān)帖子
晶閘管資料下載
晶閘管專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473