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        十年磨一劍:三星引入長江存儲專利技術

        • 近日,三星與長江存儲(YMTC)簽署了3D NAND混合鍵合(Hybrid Bonding)相關專利許可協議。不過,目前尚不清楚三星是否也獲得了Xperi等其他公司的專利許可。三星從第10代V-NAND(V10)將開始采用NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路分別在兩塊獨立的硅片上制造,因此需要長江存儲的專利技術W2W(Wafer-to-Wafer)混合鍵合技術實現?——?通過直接將兩片晶圓貼合,省去了傳統的凸點連接,形成間距為10μm及以下的互連。從而使得電路路徑變得更短,顯著提高了傳輸
        • 關鍵字: 三星  長江存儲  NAND  混合鍵合  晶棧  Xtacking  閃存  
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