無(wú)鉛封裝文章最新資訊

霍尼韋爾研制出用于半導(dǎo)體行業(yè)的無(wú)鉛熱管理材料

　　新澤西州莫里斯鎮(zhèn)2009年3月17日電 -- 霍尼韋爾公司（紐約證券交易所代碼：HON）今日宣布已研制出一種新的無(wú)鉛封裝技術(shù)，可以改善半導(dǎo)體芯片的導(dǎo)熱性能。　　　　新產(chǎn)品稱作霍尼韋爾無(wú)鉛芯片連接焊線，是一種不含鉛的熱界面材料，旨在提高半導(dǎo)體芯片的散熱性能以提高芯片的可靠性。　　“霍尼韋爾多年來(lái)致力于研制無(wú)鉛芯片連接合金焊料，以滿足工業(yè)界對(duì)于線路板封裝使用無(wú)鉛焊料的綠色環(huán)保需求。”霍尼韋爾電子材料部金屬產(chǎn)品業(yè)務(wù)經(jīng)理 Scott Miller 先生說(shuō)。&
關(guān)鍵字：霍尼韋爾無(wú)鉛封裝散熱性能

　　英飛凌科技股份公司（FSE/NYSE：IFX）今日在中國(guó)國(guó)際電源展覽會(huì)上宣布推出采用SuperSO8和S308 （Shrink SuperSO8）封裝的40V、60V和80V OptiMOS™ 3 N溝道MOSFET，在這些擊穿電壓下可提供無(wú)鉛封裝形式下的全球最低通態(tài)電阻。SuperSO8封裝與標(biāo)準(zhǔn)TO（晶體管外形）封裝相比，可使功率密度增大50%，特別是對(duì)于服務(wù)器開(kāi)關(guān)模式電源的同步整流應(yīng)用而言。舉例來(lái)說(shuō)，這種采用SuperSO8封裝的器件可以只用20%的占位空間提供與D²-Pa
關(guān)鍵字：英飛凌 OptiMOS3 通態(tài)電阻無(wú)鉛封裝

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： ONSEMICONDUCTOR NIS6111 QFN 無(wú)鉛封裝

摘要： IC供應(yīng)商可建立全面和具有前瞻性的策略，協(xié)助客戶制造符合 RoHS 嚴(yán)厲要求的產(chǎn)品，以建立環(huán)保規(guī)范的競(jìng)爭(zhēng)價(jià)值關(guān)鍵詞： Pb；RoHS；無(wú)鉛封裝如果只看一個(gè) IC，很難想象它會(huì)對(duì)環(huán)境造成嚴(yán)重的威脅，但是在日益增長(zhǎng)的重金屬環(huán)境污染危害中，每年由數(shù)千家廠商制造的數(shù)以千億的 IC扮演了非常關(guān)鍵的角色，特別是環(huán)境中的鉛(Pb)。雖然單個(gè) IC 造成的有毒廢棄物的問(wèn)題很小，但是大量累積的各種芯片和系統(tǒng)就會(huì)產(chǎn)生大問(wèn)題。根據(jù)業(yè)界估計(jì)，今天垃圾中 40% 的Pb來(lái)自消費(fèi)電子產(chǎn)品。分析師估計(jì)，
關(guān)鍵字： Pb RoHS 單片機(jī) 嵌入式系統(tǒng) 無(wú)鉛封裝雜志_技術(shù)長(zhǎng)廊封裝

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