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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 接面結(jié)構(gòu)

        低壓超級接面結(jié)構(gòu)優(yōu)化MOSFET性能

        • 采用超級接面結(jié)構(gòu)設(shè)計不僅可克服現(xiàn)有功率MOSFET結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn),亦能達(dá)到低RDS(on)、低QG和低QGD等特性,確保在兼顧 ...
        • 關(guān)鍵字: 低壓  接面結(jié)構(gòu)  優(yōu)化MOSFET  
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        接面結(jié)構(gòu)介紹

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