意法半導體（ST）與全球領先的物聯網服務供貨商Sierra Wireless宣布合作協議，讓STM32微控制器（MCU）開發社群能夠使用Sierra Wireless彈性的蜂巢式物聯網聯機和邊緣至云端解決方案。 STM32 MCU與Sierra Wireless彈性的全球蜂巢式物聯網聯機和邊緣至云端解決方案，簡化物聯網設備部署。該協議可協助開發者解決建立和部署物聯網解決方案所涉及的各種挑戰，包含裝置設計研發、蜂巢式網絡安裝和與云端服務聯機，以加速產品上市。意法半導體部門副總裁暨微控制器事業部總經
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ST Sierra Wireless 物聯網
ST以可持續方式為可持續世界創造技術，實際上，這并不是新鮮事，ST自1987 年成立時就開始這樣做了。這個理念已深入我們的商業模式和企業文化 30余年，ST的創新技術讓客戶能夠因應各種環境和社會挑戰。 意法半導體集團副總裁暨可持續發展負責人Jean-Louis CHAMPSEIX現今，新冠疫情還在世界各處肆虐，為加速推動各種可持續發展行動創造了條件，CTIMES特別訪問了意法半導體集團副總裁暨可持續發展負責人Jean-Louis CHAMPSEIX，了解該公司可持續發展的策略。Jean-Louis指出，對
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ST 可持續發展 碳中和
意法半導體（STMicroelectronics）和Rosenberger合作，開發非接觸式連接器，用于工業和醫療設備的超可靠近距離點對點全雙工數據交換。 Rosenberger創新的非接觸式連接器 RoProxCon利用意法半導體的60GHz射頻收發器ST60A2高速傳輸數據，不受連接器的移動、震動、旋轉和污物（濕氣和灰塵）之影響，若為傳統的插銷與插座則可能導致聯機故障。ST60A2兼具Bluetooth?藍牙低功耗和高數據傳輸速率，打造出不再受線纜羈絆的新型醫療和工業應用。Rosenberg
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Rosenberger ST 60GHz 高速非接觸 連接器
近年隨著電動汽車產業崛起，碳化硅（SiC）功率半導體市場需求激增，吸引產業鏈相關企業的關注，國際間碳化硅(SiC)晶圓的開發驅使SiC爭奪戰正一觸即發。與硅(Si)相比，碳化硅是具有比硅更寬的能帶隙(energy bandgap，Eg)的半導體；再者，碳化硅具有更高的擊穿電場 (breakdown electric field，Ec)，因此可被用于制造功率組件應用之電子電路的材料，因為用碳化硅制成的芯片即使厚度相對小也能夠經受得起相對高的電壓。表一分別示出了硅和碳化硅的能帶隙(Eg)、擊穿電場(Ec)和電
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意法半導體 Norstel AB 碳化硅 SiC
氮化鎵（GaN）是一種III／V族寬能隙化合物半導體材料，能隙為3.4eV，電子遷移率為1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率則分別為1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此，GaN的固有特性，讓組件具有更高的擊穿電壓和更低的通態電阻，亦即相較于同尺寸的硅基組件，GaN可處理更大的負載、效能更高，而且物料清單成本更低。在過去的十多年里，產業專家和分析人士一直在預測，GaN功率開關組件的黃金時期即將到來。相較于應用廣泛的MOSFET硅功率組件，GaN功率組件具備更高的效率和更強的功耗處理能力，這
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ST Exagan GaN
意法半導體（STMicroelectronics）宣布，ST瑞典Norrkoping工廠制造出首批8吋（200mm）碳化硅（SiC）晶圓，這些晶圓將用于生產下一代功率電子芯片產品原型。將SiC晶圓升級到8吋代表著ST針對汽車和工業客戶的擴產計劃獲得重要階段性的成功，其鞏固了ST在此一開創性技術領域的領導地位，且提升了功率電子芯片的輕量化和效能，降低客戶獲取這些產品的擁有總成本。 意法半導體制造首批8吋碳化硅晶圓意法半導體首批8吋SiC晶圓質量十分優良，對于芯片良率和晶體位錯誤之缺陷非常低。其低缺
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意法半導體 碳化硅
觀察2021年主導半導體產業的新技術趨勢，可以從新的半導體技術來著眼。基本上半導體技術可以分為三大類，第一類是獨立電子、計算機和通訊技術，基礎技術是CMOS FinFET。在今天，最先進的是5奈米生產制程，其中有些是FinFET 架構的變體。這是大規模導入極紫外光刻技術，逐步取代多重圖形光刻方法。 圖一 : 半導體的創新必須能轉化為成本可承受的產品。我們知道，目前三星、臺積電和英特爾等主要廠商與IBM 合作，正在開發下一代3/2奈米，在那里我們會看到一種新的突破，因為他們最有可能轉向奈米片全環繞
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CMOS FinFET ST
意法半導體（ST）宣布，電機電子工程師學會（Institute of Electrical and Electronics Engineering，IEEE）授予意法半導體IEEE里程碑獎，表彰ST在超級整合硅閘半導體制程技術領域的創新研發成果。ST的BCD技術可以單芯片整合雙極制程高精密模擬晶體管、CMOS制程高性能數字開關晶體管和高功率DMOS晶體管，滿足高復雜度、大功率應用的需求。多年來，BCD制程技術已賦能硬盤驅動器、打印機和汽車系統等終端應用獲得重大技術發展。在意法半導體Agrate工廠的實時／
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ST BCD 制程技術
為全球工業客戶及供應商提供全方位解決方案的合作伙伴Electrocomponents plc (LSE: ECM)旗下的貿易品牌歐時元件（RS Components，簡稱：RS）已大大擴展與世界領先的半導體設計制造公司 -- 意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）之間所簽供應鏈協議的范圍。至此，兩家公司之間的合作進入新的階段，RS將經營種類更廣泛、數量更多的ST產品。ST的相關技術更新還將定期發布在屢獲殊榮的DesignSpark在線工程設計中心上。ST歐洲、中東和非洲地區副總裁兼渠
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歐時元件 意法半導體
5月17日，有供應鏈爆料，意法半導體(STM)再發最新漲價通知，所有產品線從6月1日起開始漲價。這是意法半導體在1月1日漲價之后的再次調漲。
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意法半導體
意法半導體 AIS2IH三軸線性加速度計為汽車防盜、遠程信息處理、信息娛樂、傾斜/側傾測量、車輛導航等非安全性汽車應用帶來更高的測量分辨率、溫度穩定性和機械強度，還為性能要求很高的新興汽車、醫療和工業應用鋪平了道路。借助意法半導體在MEMS技術和汽車技術方面的領先地位，AIS2IH具有市場領先的可靠性，在-40oC至+115oC的寬工作溫度范圍內提供高性能的運動測量功能。此外，新加速度計采用超低功耗技術和緊湊的LGA-12柵格陣列封裝，售價具有極高的市場競爭力。新產品有五個不同的工作模式：一個高性能模式(
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ST MEMD 汽車 加速度計
預計到2027年，全球電動汽車充電站市場規模迅速擴展，而亞太地區電動汽車銷量的迅速成長推動了全球電動汽車充電站市場的成長。意法半導體（ST）產品可支持此一市場／應用。本文介紹主要系統架構以及主要適用的ST產品。預計到2027年，全球電動汽車充電站市場規模將從2020年估計的2,115,000個成長至30,758,000個，復合年均成長率高達46.6%。該報告的基準年為2019年，預測期為2020年至2027年。[1] 從地理位置來看，亞太地區（尤其是中國）電動汽車銷量的迅速成長推動了全球電動汽車充電站市場
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DC充電站 ST 功率
意法半導體(STMicroelectronics) 以“意法半導體，科技始之于你”為主題亮相2021年慕尼黑上海電子展，展示其行業領先的智能出行、電源和能源管理、物聯網和5G產品及解決方案。 作為意法半導體重要的業務領域之一，此次展臺的焦點是一輛智能電動轎跑小鵬P7，這款先進的新能源智能汽車的車輛控制單元(VCU)中采用意法半導體的先進的多功能芯片L9788，這是首個集成CAN FD收發器的U-chip解決方案，符合最高的功能性安全標準，產品競爭優勢包括節省物料清單(BOM)成本、減少印刷電路板(PCB)
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意法半導體 SiC BMS
橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)與專注于MEMS[1]微鏡技術的深度科技創業公司OQmented，宣布合作推動MEMS微鏡技術在增強現實 (AR) 和3D感測市場的發展。雙方合作旨在利用兩家公司的專業知識，推動MEMS微鏡激光束掃描(LBS)解決方案市場領先背后的技術產品的發展。意法半導體是全球領先的MEMS器件廠商，設計、制造和銷售各種MEMS傳感器、致動器，以及相關組件，包括驅動器、控制器和激光二極管驅動器，為此次合作貢獻其龐大的
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ST OQmented MEMS
半導體供應商意法半導體與中國農業工程機械行業龍頭企業中國一拖集團有限公司(中國一拖)共同宣布，雙方將在位于河南省洛陽市的中國一拖技術中心智能信息化研究院設立一家聯合實驗室，專注于研發拖拉機的發動機、整車和農具控制系統的電子解決方案。 隨著自動化控制技術的迅速發展，以及國內和全球排放法規擴大到非道路柴油發動機，電子控制系統在拖拉機市場的滲透率正日漸提高。在此背景下，中國一拖與意法半導體決定開展合作，整合雙方互補的優勢專業知識，滿足政府要求及行業需求。 中國一拖技術中心智能信息化研究院專攻拖拉機、收割
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ST 智能農業
意法半導體(st)介紹
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