快閃存儲器 文章 最新資訊
快閃存儲器儲存陣列市場滲透率成長強(qiáng)勁
- 市場研究機(jī)構(gòu)IDC最近發(fā)布的一份報告指出，快閃記憶體儲存陣列的市場滲透率正在快速成長;該份報告顯示，包括全快閃記憶體陣列(all-flash arrays，AFA)以及混合快閃記憶體陣列(hybrid flash arrays，HFA)在內(nèi)的全球快閃記憶體陣列市場規(guī)模，在2014年可達(dá)113億美元。 IDC的報告指出，快閃記憶體陣列市場的成長動力，來自于越來越多廠商提供針對不同應(yīng)用、支援越來越高復(fù)雜度工作任務(wù)的多樣化產(chǎn)品;“該市場的成長速度高過于我們預(yù)期，” IDC分析師
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10月快閃存儲器NAND供過于求 合約價看漲
- 市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技預(yù)期，第4季儲存型快閃存儲器(NANDFlash)供過于求情況可望趨緩，10月合約價看漲。 集邦科技表示，海力士(Hynix)中國大陸無錫廠發(fā)生火災(zāi)意外，不僅帶動動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)價格飆漲，同時激勵9月NANDFlash合約價上漲3%至6%。 集邦科技指出，盡管NANDFlash市場銷售并無好轉(zhuǎn)跡象，不過，海力士無錫廠復(fù)工情況依然混沌不明，NANDFlash供給將連帶受到影響，預(yù)期第4季NANDFlash市場供過于求情況可望趨緩。 集邦預(yù)期，近期1至2個月
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全球晶圓攜手飛思卡爾研發(fā)90納米快閃存儲器技術(shù)
- 全球晶圓(Global Foundries)除了在28納米制程上，宣布以28納米高介電金屬閘極(HKMG)技術(shù)，試產(chǎn)出全球首顆安謀(ARM)Cortex-A9架構(gòu)的芯片外，同時也宣布與飛思卡爾(Freescale)合作研發(fā)90納米快閃存儲器技術(shù)，進(jìn)一步強(qiáng)化合作關(guān)系。 全球晶圓與ARM在2009年第3季宣布策略合作計畫，就是看好未來廣大的行動運算市場。而就在全球晶圓與ARM攜手后，臺積電也于2010年宣布與ARM，合作開發(fā)28納米及20納米制程嵌入式存儲器及標(biāo)準(zhǔn)元件庫在內(nèi)的實體智財產(chǎn)品。 因
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