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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 憶阻器

        DeepSeek時(shí)代的終極硬件?憶阻器存算一體技術(shù)深度解析!

        • _____DeepSeek掀起AI計(jì)算革命,算力瓶頸何解?AI領(lǐng)域正在經(jīng)歷一場顛覆性的變革!DeepSeek,一款近期火爆全球的開源AI大模型,正與GPT-4、Sora等模型一起,掀起一場前所未有的算力競賽。隨著AI訓(xùn)練規(guī)模的指數(shù)級(jí)增長,計(jì)算資源的短缺已經(jīng)成為無法忽視的問題——算力不足,功耗爆表,傳統(tǒng)芯片難以支撐未來AI需求!當(dāng)前主流的馮·諾依曼架構(gòu)已無法跟上AI發(fā)展的步伐,存儲(chǔ)與計(jì)算分離導(dǎo)致數(shù)據(jù)搬移成為巨大瓶頸。這不僅拖慢了計(jì)算速度,還消耗了大量能量。如何突破這一困境?存算一體技術(shù)成為破局關(guān)鍵!清華大學(xué)
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        韓國研究團(tuán)隊(duì)開發(fā)出類腦芯片,能夠自主學(xué)習(xí)并糾正錯(cuò)誤

        • 1 月 20 日消息,韓國科學(xué)技術(shù)院(KAIST)的研究團(tuán)隊(duì)成功開發(fā)出一種基于憶阻器(memristor)的集成芯片,該芯片能夠模擬人腦處理信息的方式。這項(xiàng)研究由 KAIST 的教授 Shinhyun Choi 和 Young-Gyu Yoon 領(lǐng)導(dǎo),相關(guān)成果已發(fā)表在《自然?電子學(xué)》(Nature Electronics)期刊上。據(jù)了解,這種新型計(jì)算芯片的突出特點(diǎn)在于其能夠?qū)W習(xí)和糾正由非理想特性引起的錯(cuò)誤,這是現(xiàn)有神經(jīng)形態(tài)設(shè)備面臨的主要挑戰(zhàn)之一。例如,在處理視頻流時(shí),芯片可以自動(dòng)將移動(dòng)物體與背景分離,并隨
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        【對(duì)話前沿專家】基于憶阻器科研,展望系統(tǒng)和器件協(xié)同測試未來可能性

        • 泰克科技產(chǎn)品技術(shù)應(yīng)用總監(jiān)張欣與清華大學(xué)集成電路學(xué)院高濱老師探討憶阻器、類腦計(jì)算科研進(jìn)展
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        馮丹:憶阻器RRAM最有希望取代DRAM

        •   日前,一年一度的中國存儲(chǔ)峰會(huì)在北京如期舉行,“數(shù)據(jù)中流擊水,浪遏飛舟”是今年大會(huì)主題,論道存儲(chǔ)未來,讓數(shù)據(jù)釋放價(jià)值,業(yè)界嘉賓圍繞中國及全球存儲(chǔ)市場的現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢進(jìn)行了深入解讀,干貨滿滿。下午第三分論壇,中國計(jì)算機(jī)協(xié)會(huì)信息存儲(chǔ)專委會(huì)主任馮丹作為開場嘉賓,就算存融合的憶阻器發(fā)展趨勢及RRAM(阻變存儲(chǔ)器)性能優(yōu)化方法展開主題演講。馮丹表示,當(dāng)前憶阻器呈現(xiàn)出大容量、計(jì)算與存儲(chǔ)深度融合的發(fā)展趨勢,而RRAM容量很大,速度快、能耗低,RRAM也認(rèn)為是下一代代替DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)
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        cmos+憶阻器實(shí)現(xiàn)高效分布式處理兼存儲(chǔ)功能的傳感器架構(gòu)

        • cmos+憶阻器實(shí)現(xiàn)高效分布式處理兼存儲(chǔ)功能的傳感器架構(gòu)-依靠憶阻器執(zhí)行像素級(jí)自適應(yīng)背景提取算法的成像傳感器架構(gòu),與全cmos成像傳感器相比,基于憶阻器的解決方案可取得更小的像素間距和非易失性存儲(chǔ)功能,讓設(shè)計(jì)人員能夠使用可編程時(shí)間常數(shù)建立圖像背景模型。
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        全新憶阻器超越現(xiàn)有機(jī)器學(xué)習(xí)系統(tǒng)

        •   在當(dāng)今“大數(shù)據(jù)”時(shí)代,現(xiàn)有計(jì)算機(jī)硬件架構(gòu)已面臨速度和高能耗的瓶頸。科技日?qǐng)?bào)記者日前采訪美國密西根大學(xué)電子工程與計(jì)算機(jī)系盧偉教授獲悉,他帶領(lǐng)同事研發(fā)出一種全新憶阻器(Memristor)陣列芯片,其處理圖片和視頻等復(fù)雜數(shù)據(jù)的速度和能效,超越了現(xiàn)有最先進(jìn)機(jī)器學(xué)習(xí)系統(tǒng)。相關(guān)論文發(fā)表在最近一期《自然·納米技術(shù)》雜志上。   目前,用機(jī)器學(xué)習(xí)來處理大數(shù)據(jù)越來越受重視。不過現(xiàn)有的機(jī)器學(xué)習(xí)只是基于現(xiàn)有硬件架構(gòu)在算法上進(jìn)行革新,在學(xué)習(xí)和推理過程中仍需不斷在處理器和存儲(chǔ)器之間轉(zhuǎn)移
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        具有實(shí)時(shí)跟蹤功能的憶阻視覺傳感器架構(gòu)

        • 摘要――本文介紹一個(gè)依靠憶阻器執(zhí)行像素級(jí)自適應(yīng)背景提取算法的成像傳感器架構(gòu)。內(nèi)置光頻轉(zhuǎn)換器(L2F)的像素是圖像處理的核心組件,其輸出的與光強(qiáng)成正比的數(shù)字脈沖被施加到憶阻器后,憶阻器電阻將會(huì)發(fā)生相應(yīng)變化。
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        美國發(fā)明輝鉬憶阻器 或?qū)⒏淖兾磥戆雽?dǎo)體領(lǐng)域方向

        •   據(jù)美國科學(xué)學(xué)術(shù)網(wǎng)3日?qǐng)?bào)道,美科學(xué)家最近使用輝鉬制成了輝鉬基柔性憶阻器,可以用其制造低功耗的超高速存儲(chǔ)與計(jì)算芯片,科學(xué)學(xué)術(shù)網(wǎng)認(rèn)為這一發(fā)明很可能讓半導(dǎo)體芯片世界從“硅時(shí)代”跨越到“輝鉬時(shí)代”。   
        • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  憶阻器  

        2013 年前使用憶阻器的記憶裝置將上市

        •   這個(gè)禮拜有一則大新聞,是 HP 將和 Hynix 合作,在 2013 年前讓使用憶阻器(Memristor)的記憶裝置上市,和閃存一較高下。這在業(yè)界被認(rèn)為是一個(gè)重要的里程碑,但是憶阻器究竟是什么?它有什么神奇的特 性,讓它這么受重視?在這篇里小姜試著用最簡單的方式,介紹憶阻器這有趣的「新」電子零件給大家,并且探討為什么它可能是晶體管以來,最重要的電子進(jìn)展。   什么是憶阻器?   憶阻器的英文 Memristor 來自「Memory(記憶)」和「Resistor(電阻)」兩個(gè)字的合并,從這兩個(gè)字可
        • 關(guān)鍵字: Hynix  憶阻器  

        2013 年前使用憶阻器的記憶裝置將上市

        •   這個(gè)禮拜有一則大新聞,是 HP 將和 Hynix 合作,在 2013 年前讓使用憶阻器(Memristor)的記憶裝置上市,和閃存一較高下。這在業(yè)界被認(rèn)為是一個(gè)重要的里程碑,但是憶阻器究竟是什么?它有什么神奇的特 性,讓它這么受重視?在這篇里小姜試著用最簡單的方式,介紹憶阻器這有趣的「新」電子零件給大家,并且探討為什么它可能是晶體管以來,最重要的電子進(jìn)展。   什么是憶阻器?   憶阻器的英文 Memristor 來自「Memory(記憶)」和「Resistor(電阻)」兩個(gè)字的合并,從這兩個(gè)字可
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        用憶阻器來模擬人腦學(xué)習(xí)過程

        •   我們一般把人腦的位細(xì)胞叫做突觸(synapses),美國密西根大學(xué)研究人員指出,憶阻器(memristor)的功能特性是所有的電子組件中與突觸最相近的;他們最近展示單一憶阻器如何以與人腦相同的方式來學(xué)習(xí)同樣的技術(shù)。   人類的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的學(xué)習(xí)模式,能達(dá)到像是特殊算法那樣、對(duì)工程師來說都很難的程度,主要是依賴一種稱為突觸的模擬內(nèi)存元素;該元素目前正被科學(xué)家用做今日超級(jí)計(jì)算機(jī)中的一種數(shù)值來進(jìn)行模擬。   學(xué)習(xí)行為的發(fā)生,是由于來自人體各感官的功能探測器──像是眼睛內(nèi)的邊緣傳感器,就會(huì)產(chǎn)生一種同步電壓突波
        • 關(guān)鍵字: 電子  憶阻器  

        美制成與大腦突觸類似的憶阻器電路

        •   幾乎從計(jì)算機(jī)問世那天起,科學(xué)家和技術(shù)人員就夢想著有朝一日計(jì)算機(jī)也能像人腦一樣工作。日前,美國密歇根大學(xué)的一個(gè)研究小組稱,他們制成了一種模擬大腦突觸的憶阻器電路,證實(shí)了此前關(guān)于憶阻器能用于電腦神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)制作的設(shè)想。相關(guān)論文發(fā)表在最新一期的《納米快報(bào)》雜志上。   突觸是兩個(gè)神經(jīng)元之間或神經(jīng)元與效應(yīng)器細(xì)胞之間相互接觸并借以傳遞信息的部位。對(duì)于中樞神經(jīng)系統(tǒng)內(nèi)的大多數(shù)神經(jīng)元來說,突觸是其神經(jīng)信號(hào)的唯一輸入渠道。 中樞神經(jīng)系統(tǒng)中的神經(jīng)元都以突觸的形式互聯(lián),繼而形成復(fù)雜的神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)。自2008年4月美國惠普實(shí)驗(yàn)室
        • 關(guān)鍵字: 憶阻器  納米  電子元件  

        后危機(jī)時(shí)代,傳統(tǒng)電子組件迎來創(chuàng)新與變革

        •   目前,在一個(gè)典型的電子產(chǎn)品中,IC和分立的傳統(tǒng)元件占全部電子元器件及零部件的生產(chǎn)總成本的約50%和10%,而在總安裝成本中情況恰恰相反,分立元件的安裝成本占據(jù)了50%,某些片式元件的管理和安裝成本已經(jīng)超過其價(jià)格。在利潤日趨微薄的電子產(chǎn)品,特別是消費(fèi)電子產(chǎn)品領(lǐng)域,對(duì)傳統(tǒng)分立元件小型化、集成化發(fā)展呼聲日益高漲。帶動(dòng)無源元件消耗量、小型化和集成化的是手機(jī)、筆記本電腦和平板電視、智能家電和發(fā)展迅猛的個(gè)人便攜電子設(shè)備,因?yàn)檫@些產(chǎn)品在設(shè)計(jì)中對(duì)電容、電阻、電感、傳感、濾波和脈沖能力的要求越來越高,而產(chǎn)品體積卻越做越
        • 關(guān)鍵字: 電子元器件  電容  憶阻器  

        美國研制出納米級(jí)憶阻器芯片

        •   美國密歇根大學(xué)科學(xué)家開發(fā)出一種由納米級(jí)憶阻器構(gòu)成的芯片,該芯片能存儲(chǔ)1千比特的信息。發(fā)表在《納米快報(bào)》(Nano Letters)上的此項(xiàng)研究成果將有可能改變半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),使成功研制出更小、更快、更低廉的芯片或電腦成為可能。   憶阻器是一種電腦元件,可在一簡單封裝中提供內(nèi)存與邏輯功能。此前,由于可靠性和重復(fù)性問題,所展示的都是只有少數(shù)憶阻器的電路,而研究人員此次展示的則是基于硅憶阻系統(tǒng)并能與CMOS兼容的超高密度內(nèi)存陣列。CMOS指互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體,是一種大規(guī)模應(yīng)用于集成電路芯片制造的原料。
        • 關(guān)鍵字: CMOS  芯片  憶阻器  
        共14條 1/1 1

        憶阻器介紹

        基礎(chǔ)電子學(xué)教科書列出三個(gè)基本的被動(dòng)電路元件:電阻器、電容器和電感器;電路的四大基本變量則是電流、電壓、電荷和磁通量。任教于加州大學(xué)伯克利分校,并且是新竹交通大學(xué)電子工程系榮譽(yù)教授的蔡少棠(Leon Chua),37年前就預(yù)測有第四個(gè)元件的存在,即憶阻器(memristor),實(shí)際上就是一個(gè)有記憶功能的非線性電阻器。 惠普公司實(shí)驗(yàn)室的研究人員最近證明憶阻器的確存在,研究論文在08年5月1日的《自 [ 查看詳細(xì) ]

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