101 LATCH UP 栓鎖效應 當VLSI線路密度增加，Latch-Up之故障模式于MOS VLSI中將愈來愈嚴重，且僅發生于 CMOS電路，所有COMS電路西寄生晶體管所引起的LATCH-UP問題稱之為SCR (SILICON-CONYROLLED RECTIFIER）LATCH-UP，在S1基體內CMOS中形成兩個雙截子晶體管P-N-P-N形式的路徑，有如一個垂直的P+-N-P與一個水平N+-P-N晶體管組合形成于CMOS反向器，如果電壓降過大或受到外界電壓、電流或光的觸發時，將造成兩個晶體管互相
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151 RESOLUTION 解析力 1. 定義：解析力在IC制程的對準及印刷（Align & Print）過程中站著相當重要的地位，尤其演進到VLSI后，解析力的要求就更高了。它是對光學系統（如對準機、顯微鏡、望遠鏡等）好壞的評估標準之一，現今多以法國人雷萊（Rayleigh）所制定的標準遵循之。物面上兩光點經光學系統頭于成像面上不會模糊到只被看成一點時，物面上兩點間之最短距離。若此距離越小，則解析力越大。（通常鏡面大者，即NA大者，其解析力也越大）解析力不佳時，例如對準機對焦不清時，就會造成C
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1 Active Area 主動區（工作區） 主動晶體管（ACTIVE TRANSISTOR）被制造的區域即所謂的主動區（ACTIVE AREA）。在標準之MOS制造過程中ACTIVE AREA是由一層氮化硅光罩即等接氮化硅蝕刻之后的局部場區氧化所形成的，而由于利用到局部場氧化之步驟，所以ACTIVE AREA會受到鳥嘴（BIRD’S BEAK）之影響而比原先之氮化硅光罩所定義的區域來的小，以長0.6UM之場區氧化而言，大概會有0.5UM之BIRD’S BEAK存在，也就是說ACTIVE AREA比原在之
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51 DRAM , SRAM 動態,靜態隨機存取內存 隨機存取記憶器可分動態及靜態兩種，主要之差異在于動態隨機存取內存（DRAM），在一段時間（一般是0.5ms～5ms）后，資料會消失，故必須在資料未消失前讀取元資料再重寫（refresh），此為其最大缺點，此外速度較慢也是其缺點，而DRAM之最大好處為，其每一記憶單元（bit）指需一個Transistor（晶體管）加一個Capacitor（電容器），故最省面積，而有最高之密度。而SRAM則有不需重寫、速度快之優點，但是密度低，每一記憶單元（bit）有兩類
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目前，有許多嵌入式系統中加入由專用芯片構成的軟件保護模塊，這類芯片多為第三代EEPROM存儲型產品，缺點是在端口進行數據分析就容易被破解。所以為適應市場的需求，福華先進微電子（上海）有限公司推出了一款嵌入式系統軟件的安全保護方案——嵌入式軟件安全衛士，其所用芯片FS88x6具有應用面廣、功耗小、安全性高等特點，潛在市場巨大。 此芯片是針對當前市場上, 軟件被竄改盜用的事件層出不窮情況而研發的，并已成功運用在立體聲藍牙方案、IP網絡照相機、機頂盒、媒體播放器、DVR/PVR硬
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業務培養目標：
業務培養目標：本專業培養掌握微電子學專業所必需的基礎知識、基本理論和基本實驗技能，能在微電子學及相關領域從事科研、教學、科技開發、工程技術、生產管理與行政管理等工作的高級專門人才。
業務培養要求：本專業學生主要學習微電子學的基本理論和基本知識，受到科學實驗與科學思維的基本訓練，具有良好科學素養，掌握大規模集成電路及新型半導體器件的設計、制造及測試所必需的基本理論和方法，具有電路分析、工藝分析、器件性能分析和版圖設計等的基本能力。
畢業生應獲得以下幾方面的知識和能力：
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奧地利微電子公司(austriamicrosystems)日前推出帶手動重啟和監視功能的雙電壓微處理器監測電路AS1910-15系列。該系列IC適用于手持式、電池驅動設備和所有雙電壓供電應用，其功耗僅5.8μA(典型情況下)，可用于-40℃到+125℃之間的溫度范圍。 AS1913、AS1914和AS1915根據其出廠設定的極限值，能監控1.8V到3.6V之間的初級電壓，以及0.9V到2.5V之間的次級電壓。對于AS1910、AS1911和AS1912，用戶可以通過一個外置的電阻分壓器將次級監控電壓
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奧地利微電子公司(austriamicrosystems)日前推出帶手動重啟和監視功能的雙電壓微處理器監測電路AS1910-15系列。該系列IC適用于手持式、電池驅動設備和所有雙電壓供電應用，其功耗僅5.8μA(典型情況下)，可用于-40℃到+125℃之間的溫度范圍。 AS1913、AS1914和AS1915根據其出廠設定的極限值，能監控1.8V到3.6V之間的初級電壓，以及0.9V到2.5V之間的次級電壓。對于AS1910、AS1911和AS1912，用戶可以通過一個外置的電阻分壓器將次級監控電壓
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奧地利 監測IC 手動重啟 微電子
HM9001是火馬微電子(HOMAA)公司專為中國市場推出的新一代高密度數字激光視盤系統(EVD)開發設計的核心解碼芯片。EVD作為家電產品和計算機技術相結合的產物，既可以播放高清晰度(1920
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該產業園將通過政府支持、基地化運作的方式，集中建立2到3個半導體封裝測試企業，3到4個6英寸和8英寸的芯片廠，1到2個12英寸芯片廠上述項目總投資將達28億美元，全部投產后產值將達50億美元?？偛邉澣笋R啟元表示，兩到三年，南京微電子產業園將有望成為全國芯片產業的“航母基地”。 素以“江寧織造”聞名天下的南京，正開始走上“江寧創造”的歷程。 6月19日，美國時代創新投資管理公司與南京江寧開發區簽訂了《在江寧開發區建立國家級微電子產業基地的框架協議》。協議主題是，由前者引導國際、民間資本于2006
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天津開發區微電子工業區一期1平方公里于2000年開發完畢，2003年企業全部達產，2004年實現工業總產值315億元，出口19億美元，稅收7.13億元。這樣，在一期1平方公里土地上，園區創造出了300億元工業總產值的驕人業績，園區人均 GDP 已超過4萬美元，成為天津乃至中國北方最具生機和活力的經濟區域。 該園區二期1.32平方公里于2002年開始投入建設，目前基本轉讓完畢，截至
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1976年11月，中國科學院計算所研制成功1000萬次大型電子計算機，所使用的電路為中國科學院109廠(現中科院微電子中心)研制的ECL型(發射極耦合邏輯)電路。
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微電子介紹
微電子技術是隨著集成電路，尤其是超大型規模集成電路而發展起來的一門新的技術。微電子技術包括系統電路設計、器件物理、工藝技術、材料制備、自動測試以及封裝、組裝等一系列專門的技術，微電子技術是微電子學中的各項工藝技術的總和。微電子技術是在電子電路和系統的超小型化和微型化過程中逐漸形成和發展起來的，第二次大戰中、后期，由于軍事需要對電子設備提出了不少具有根本意義的設想，并研究出一些有用的技術。1947年 [
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