全球增強型氮化鎵(GaN)功率 FET 和 IC領域的領導者宜普電源轉換公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm EPC2361。這是市場上具有最低導通電阻的GaN FET，與EPC的上一代產品相比，其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm，采用耐熱QFN封裝，頂部裸露，封裝尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面積僅為15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的體積小超過五倍。憑借超低導通電阻
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EPC 1mΩ 導通電阻 GaN FET
熱插拔是指將電子設備插入帶電電源；這可能會損壞相關電子設備。電容性負載可能會產生較大的負載電流，從而給電源、電纜組件和任何限流電路帶來壓力。此外，電纜寄生電感上的電壓變化會引起電壓尖峰，從而進一步損壞電子設備。熱插拔是指將電子設備插入帶電電源；這可能會損壞相關電子設備。電容性負載可能會產生較大的負載電流，從而給電源、電纜組件和任何限流電路帶來壓力。此外，電纜寄生電感上的電壓變化會引起電壓尖峰，從而進一步損壞電子設備。簡介熱插拔是指將電子設備插入帶電電源；這可能會損壞相關電子設備。電容性負載可能會產生較大的
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MOSFET 導通電阻
【2023 年 5 月 12 日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌最新一代面向汽車應用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅固的功率封裝。該系列產品采用了 300 毫米薄晶圓技術和創新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有顯著的性能優勢。這使得全新 MOSFET 成為所有的標準和未來車用 40V MOSFET 應用的理想選擇，如電動助力
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英飛凌 OptiMOS 導通電阻
作者/Bryson Barney 安森美半導體 應用工程師 摘要：負載開關在電源管理和負載保護中發揮重要作用。在為特定應用選擇負載開關時有一些因素要考慮，此外，現在還可以使用一些性能和功能得以改進的新器件?！ ￡P鍵詞：負載開光；電源管理；導通電阻 0 引言 電源是推動我們現代世界技術的命脈，我們越來越依賴高科技產品在忙碌的工作中和工作外的生活中幫助我們。管理和控制電源是高科技、低功耗應用的一個重要主題。無論是為更大的設備開發復雜的多軌電源系統，還是利用電池供電設備的最后一小部分電量，電源管理都是
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201906 負載開光 電源管理 導通電阻
引言
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熱拔插 導通電阻
2013 年 12 月5 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出業界首款采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT?封裝尺寸的-20V器件---Si8851EDB，擴展其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
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Vishay MOSFET 導通電阻
2013年10月15日，Silego公司的電源族又推出了納安級功耗負載開關系列。此系列推出了兩款產品：支持6A負載電流的SLG59M1470V和支持2A負載電流的SLG59M1460V。
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日前，德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機與平板電腦等空間有限手持應用推出業界最小型低導通電阻 MOSFET。該最新系列 FemtoFET? MOSFET 晶體管采用超小型封裝，支持不足 100 毫歐的導通電阻。
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2013 年 11 月5 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出具有1.5?低導通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開關--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出的器件采用新的模擬工藝，導通電阻只有1.5?
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東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布推出內嵌反向電流阻隔電路[1]的負荷開關集成電路，該集成電路提供業內最低的[3]導通電阻，即18.4mΩ[2]。這些集成電路可作為智能手機、平板電腦、超極本(Ultrabooks?)和其他移動設備內使用的電源管理開關。樣品出貨今日啟動，并計劃于2014年投入量產。
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2013 年 9 月5 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，擴充其采用超小PowerPAK? SC-70封裝的TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
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電阻值的測量通常比較簡單。但是，對于非常小阻值的測量，我們必須謹慎對待我們所做的假定。對于特定的幾何形狀，如電線，Kelvin方法是非常精確的?？梢允褂妙愃频姆椒▉頊y量均勻樣本的體電阻率和面電阻率，但是所使
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與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關注。契機源...
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