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        三星開(kāi)始量產(chǎn)第8代V-NAND,存儲(chǔ)密度高達(dá)1Tb

        • 作為全球化的半導(dǎo)體企業(yè),正如在2022年度閃存峰會(huì)和2022年度三星內(nèi)存技術(shù)日上所承諾的,三星今日宣布,已開(kāi)始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲(chǔ)密度的1Tb(太字節(jié))三比特單元(TLC)第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲(chǔ)密度,可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲(chǔ)解決方案。三星電子第八代V-NAND,1Tb三星閃存產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁SungHoi Hu表示:"市場(chǎng)對(duì)更高密度、更大容量存儲(chǔ)的需求,推動(dòng)了V-NAND層數(shù)的增加,三星采用3D縮放(3
        • 關(guān)鍵字: 三星  V-NAND  存儲(chǔ)密度  
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        存儲(chǔ)密度介紹

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