- 介紹SDRAM電路設計之前先了解下SDRAM的尋址原理。SDRAM內部是一個存儲陣列，可以把它想象成一個表格，和表格的檢索原理一樣，先指定行，再指定列，就可
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SDRAM 電路設計 尋址原理 存儲單元
- 在復用檢測和線性校驗碼檢測的基礎上，提出互補存儲、奇偶校驗和漢明碼校驗三種存儲單元的抗故障攻擊防護方案。應用這三種方案，用硬件描述語言Verilog設計了三種抗故障攻擊雙端口RAM存儲器，在Altera 公司的器件EP1C12Q240C8上予以實現。
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漢明碼校驗 存儲單元 Verilog
- 分析了RISC微處理器結構的特點，針對分組密碼的操作特征在RISC結構密碼專用微處理器中增加專用存儲單元，用來專門存儲密碼運算的相關數據，同時擴展了指令集，極大地減少了執行密碼算法時的指令條數,提高了密碼運算效率，增強了其處理性能。
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RISC微處理器 分組密碼 存儲單元
- SuperFlash®技術基于分離柵極概念，廣泛用于獨立和嵌入式NOR閃存產品。與其他競爭解決方案相比，SuperFlash的主要優勢包括：因采用較厚的隧道電介質
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分離柵極 存儲單元 嵌入式
- 摘要：本文介紹MCS-8051單片機片外256 KB數據存儲器的擴展方法，主要以MCS-8051系列單片機為例，介紹一種新的片外 ...
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MCS-8051單 數據存儲器 存儲單元
- 8月18日，美國IBM公司、AMD以及紐約州立大學Albany分校的納米科學與工程學院（CNSE）等機構共同宣布，世界上首個22納米節點有效靜態隨機存儲器（SRAM）研制成功。這也是全世界首次宣布在300毫米研究設備環境下，制造出有效存儲單元。
SRAM芯片是更復雜的設備，比如微處理器的“先驅”。SRAM單元的尺寸更是半導體產業中的關鍵技術指標。最新的SRAM單元利用傳統的六晶體管設計，僅占0.1平方微米，打破了此前的SRAM尺度縮小障礙。
新的研究工作是在
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AMD SRAM IBM 存儲單元
- 本文設計了一種低電壓甲乙類開關電流存儲單元，電源電壓±1 V，其最大采樣信號頻率12.9 MHz，并且具有結構簡單、容易設計的優點。
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低電壓 存儲單元 開關電流
存儲單元介紹
存儲單元一般應具有存儲數據和讀寫數據的功能，一般以8字節作為一個存儲單元。每個單元有一個地址，是一個整數編碼，可以表示為二進制整數。程序中的變量和主存儲器的存儲單元相對應。變量的名字對應著存儲單元的地址，變量內容對應著單元所存儲的數據。指針的內容是存儲地址在存儲器中有大量的存儲元，把它們按相同的位劃分為組，組內所有的存儲元同時進行讀出或寫入操作，這樣的一組存儲元稱為一個存儲單元。一個存儲單元通常可 [
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