- 在 HBM4 內存帶來的幾大變化中，最直接的變化之一就是內存接口的寬度。隨著第四代內存標準從已經很寬的 1024 位接口升級到超寬的 2048 位接口，HBM4 內存堆棧將不會像以前一樣正常工作；芯片制造商需要采用比現在更先進的封裝方法，以適應更寬的內存。作為
2024 年歐洲技術研討會演講的一部分，臺積電提供了一些有關其將為 HBM4
制造的基礎模具的新細節，這些模具將使用邏輯工藝制造。由于臺積電計劃采用其 N12 和 N5 工藝的變體來完成這項任務，該公司有望在 HBM4
制造工藝中占據有
- 關鍵字：
臺積電 12nm 5nm 工藝 HBM4 基礎芯片
- Atmel公司日前推出符合LIN2.0新標準的局部互聯網絡(LIN)系統基礎芯片(SBC)ATA6621，該芯片高度集成、內部包括一個電壓調整器和一個看門狗，因而成本比其它采用分立元件而非SBC的方案要低25%。它采用Atmel的高壓BCDMOS工藝設計SBC器件，并被優化以工作于電壓高達40V的惡劣環境，其應用包括汽車的門控模塊、座位控制或智能傳感器以及動力總成應用中的引擎控制系統等。 據稱，ATA6621占位空間小，特別適用于需要很小占位面積的應用。其新型LIN SBC的
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Atmel LIN系統 基礎芯片 汽車引擎
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