11月5日，在第二屆國際電力電子技術與應用會議暨博覽會期間，來自中國、日本和韓國的第三代半導體專家齊聚基本半導體，參加第三代半導體功率器件先進應用技術研討會。 出席會議的嘉賓包括清華大學孫凱副教授和鄭澤東副教授、上海交通大學馬柯博士、華中科技大學蔣棟教授、長岡技術科學大學伊東淳一教授、東京都立大學和田圭二副教授、韓國亞洲大學Kyo-Beum
Lee教授、奧爾堡大學王雄飛博士和楊永恒博士等多所知名高校的專家學者和基本半導體研發團隊。與會嘉賓分享了各自在第三代半導體功率器件領域的最新研究主題和方向，
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近日，從深圳市人力資源和社會保障局傳來喜訊，基本半導體憑借在人才引進方面的突出成果，獲評“2018年度深圳市人才伯樂獎”。 深圳市人才伯樂獎是由深圳市政府設立，旨在鼓勵企事業單位、人才中介組織等引進和舉薦人才，以增強企業科技創新能力，提升城市核心競爭力。每年市政府通過評選伯樂獎對在本市人才培養、引進過程中作出貢獻的單位及個人給予表彰和獎勵。 基本半導體是第三代半導體領域的高新技術企業，從創立之初就非常重視人才的引進和培養。作為一家由海歸博士創立的公司，基本半導體依托廣泛的海外資源，成功引進了來自英
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10月24日，由青銅劍科技、基本半導體、中歐創新中心聯合主辦的第二屆中歐第三代半導體高峰論壇在深圳會展中心成功舉行。 本屆高峰論壇和第三代半導體產業技術創新戰略聯盟達成戰略合作，與第十五屆中國國際半導體照明論壇暨2018國際第三代半導體論壇同期舉行，來自中國、歐洲及其他國家的專家學者、企業領袖同臺論劍，給現場觀眾帶來了一場第三代半導體產業的盛宴。 立足國際產業發展形勢，從全球視角全面探討第三代半導體發展的現狀與趨勢、面臨的機遇與挑戰，以及面向未來的戰略與思考是中歐第三代半導體高峰論壇舉辦的宗旨。目
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碳化硅(SiC)功率器件的出現大大提升了半導體器件的性能，對電力電子行業的發展具有重要意義。作為最先實現產業化的 SiC 器件，SiC JBS能提供近乎理想的動態性能，基本半導體自主研發的650 -1700V 3D SiC?系列碳化硅肖特基二極管(SiC JBS)已火熱上市，憑借其優越性能廣受市場追捧。 SiC JBS產品優勢 作為單極型器件，SiC JBS在工作過程中沒有少數載流子儲存，其反向恢復電流主要取決于耗盡層結電容，反向恢復電荷以及反向恢復損耗比Si超快恢復二極管要低一到兩個數量級。更重
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6月26日-28日，基本半導體成功參展PCIM?Asia 2018上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會。 基本半導體展臺以充滿科技感和未來感的藍白為主色調，獨有的3D SiC?技術和自主研發的碳化硅功率器件吸引了眾多國內外參展觀眾的眼球。 全球獨創3D SiC?技術 展會期間，基本半導體技術團隊詳細介紹了公司獨創的3D SiC?外延技術，該技術能夠充分利用碳化硅的材料潛力，通過外延生長結構取代離子注入，使碳化硅器件在高溫應用中擁有更高的穩定性。優良的外延質量和設計靈活性也有利于實現高電流密度的
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4月9日上午，國家集成電路產業投資基金總裁丁文武一行蒞臨基本半導體考察調研。 基本半導體董事長汪之涵博士向丁文武介紹了公司自主研發的碳化硅功率器件產品，包括性能達到國際一流水平的碳化硅JBS二極管和MOSFET三極管，以及6英寸的3D碳化硅外延和晶圓片。 隨后丁文武一行聽取了基本半導體總經理和巍巍博士對公司發展情況的匯報。丁文武對基本半導體的技術創新和戰略定位予以充分肯定，并鼓勵公司團隊再接再厲，立足創新驅動，不斷發展壯大，成為中國第三代半導體產業的領軍企業。 國家集成電路產業投資基金是為促進集
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12月19日，中國半導體行業協會換屆大會暨第七屆會員大會、第七屆理事會第一次會議在上海召開。基本半導體總經理和巍巍博士受邀出席并當選新一屆中國半導體行業協會理事，以碳化硅為代表的第三代半導體受到行業廣泛關注。 2017年全球半導體產業重新進入加速發展通道，預計全年市場規模將增長至3465億美元，中國市場成全球半導體產業引擎，近三年來市場規模都以超過全球20%的速度快速增長。與此同時，發展第三代半導體產業已經上升到國家戰略，在政策和市場的雙重驅動下，第三代半導體行業將迎來增長爆發期。 工業和信息化部
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