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可控硅（scr）
可控硅（scr） 文章 進(jìn)入可控硅（scr）技術(shù)社區(qū)
干擾太大讓工控系統(tǒng)的效果大打折扣，怎么挽救？
- 干擾太大讓工控系統(tǒng)的效果大打折扣，怎么挽救？-設(shè)計(jì)的工控系統(tǒng)即將成功，然而一通電卻發(fā)現(xiàn)系統(tǒng)干擾太大，導(dǎo)致效果比理想相差很多，甚至糟糕。抗干擾措施的基本原則是：抑制干擾源，切斷干擾傳播路徑，提高敏感器件的抗干擾性能。 抑制干擾源 抑制干擾源就是盡可能的減小干擾源的du/dt，di/dt。這是抗干擾設(shè)計(jì)中最優(yōu)先考慮和最重要的原則，常常會(huì)起到事半功倍的效果。
- 關(guān)鍵字： 工控系統(tǒng) 二極管 可控硅
Littelfuse新推高溫Alternistor三端雙向可控硅簡(jiǎn)化熱管理并抑制高浪涌
- Littelfuse, Inc.，作為全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，今日宣布推出兩個(gè)系列的高溫Alternistor三端雙向可控硅，成為該公司晶閘管產(chǎn)品組合中的最新產(chǎn)品。 16A QJxx16xHx系列和25A QJxx25xHx系列產(chǎn)品的最高結(jié)溫為150°C，專為交流開(kāi)關(guān)而設(shè)計(jì)，可幫助電路設(shè)計(jì)師應(yīng)對(duì)散熱有限或無(wú)散熱的交流電源控制應(yīng)用發(fā)生過(guò)熱的難題。 憑借高峰值、單周期交流電流脈沖額定值，其可耐受加熱器和電機(jī)控制應(yīng)用中更高的突入電流?！ Jxx16Hx
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KJ009組成的可控硅過(guò)零觸發(fā)器應(yīng)用電路圖
- 可控硅過(guò)零觸發(fā)器KJ009組成的應(yīng)用電路圖KJ009的基本性能與KJ004相同，可以互換使用。由于器件內(nèi)部采用了反向阻斷四級(jí)硅晶閘管作脈沖記憶，提高了抗干擾能力和觸發(fā)脈沖的前沿陡度，脈沖的寬度有較大的調(diào)節(jié)范圍。該電路適用...
- 關(guān)鍵字： KJ009 可控硅 過(guò)零觸發(fā)器
可控硅驅(qū)動(dòng)電路
- 可控硅驅(qū)動(dòng)電路MOC3061在熱線開(kāi)關(guān)中的應(yīng)用電路如圖2所示,在可控硅驅(qū)動(dòng)中的實(shí)際電路如圖3所示。圖中R1為限流電阻,使輸入的LED電流分別為15mA(MOC3061)、10mA(MOC3062)、5mA(MOC3063)即可。R1可按下式計(jì)...
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正負(fù)電源基礎(chǔ)知識(shí)以及如何符合雙向可控硅觸發(fā)要求
- 摘要 電源電壓在某些情況下被視為正電壓或者負(fù)電壓。對(duì)于不經(jīng)常跟雙向可控硅開(kāi)關(guān)管打交道的人來(lái)說(shuō)，“負(fù)電源”聽(tīng)起來(lái)怪怪的，畢竟集成電路從來(lái)不使用負(fù)電壓。 在有些情況下，雙向可控硅驅(qū)動(dòng)電路優(yōu)先選用負(fù)電壓。本文介紹幾個(gè)簡(jiǎn)單的雙向可控硅正電源驅(qū)動(dòng)解決方案。 正電源和負(fù)電源 如果功率半導(dǎo)體控制電路需要使用電源，且驅(qū)動(dòng)參考端子連至市電(相線或零線端子)，則需要使用非隔離電源。 雙向可控硅、ACST、ACS或SCR(可控硅整流管)等交流開(kāi)關(guān)的觸發(fā)電路就屬于這種情況
- 關(guān)鍵字： 正負(fù)電源 可控硅
雙向可控硅噪聲抑制的基本原理和新的低成本的dV/dt性能改進(jìn)解決方案
- 從上個(gè)世紀(jì)70年代開(kāi)始，雙向可控硅(又稱三端雙向晶閘管)一直用于控制交流負(fù)載，幾乎在所有電器上都能看到雙向可控硅。當(dāng)終端設(shè)備上的電壓上升速率過(guò)快時(shí)，雙向可控硅將會(huì)自動(dòng)觸發(fā)，從那時(shí)起，設(shè)計(jì)人員就必須面對(duì)雙向可控硅的這個(gè)特性。當(dāng)設(shè)計(jì)對(duì)電壓快速瞬變有要求的電器時(shí)，必須考慮這個(gè)問(wèn)題。 半導(dǎo)體易受到dV/dt變化速率的影響 功率半導(dǎo)體器件由多個(gè)半導(dǎo)體層組成。例如，雙向可控硅是四層結(jié)構(gòu)交流開(kāi)關(guān)元件，每層是半個(gè)祼片，每層通過(guò)交替摻雜方法控制空穴濃度(P區(qū))或自由電子濃度(N區(qū))，形成兩個(gè)單向可控硅。因此
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可控硅（scr）介紹
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