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        可控硅驅動電路

        作者: 時間:2016-11-16 來源:網絡 收藏

        MOC3061在熱線開關中的應用電路如圖2 所示, 在驅動中的實際電路如圖3 所示。圖中R1 為限流電阻,使輸入的L ED電流分別為15mA (MOC3061)、10mA(MOC3062 )、5mA (MOC3063 )即可。R1 可按下式計算:

        當增加。
        R2 是雙向的門極電阻,當可控硅靈敏度較高時, 門極阻抗也很高, 并上R2 可提高抗干擾能力。
        R3 是觸發功率雙向可控硅的限流電阻,其值由交流電網電壓峰值及觸發器輸出端允許重復沖擊電流峰值決定,可按下式選取:

        外39Ω 電阻和0. 01μF 電容組成浪涌吸收電路,防止浪涌電壓損壞雙向可控硅。建議用該電路驅動兩個反并聯(背對背)的可控硅開關(元件) ,圖中穩壓管可選用1N4001,電阻R2和R3 可選擇300Ω。



        關鍵詞: 可控硅 驅動電路

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