半導(dǎo)體高速檢測裝置 文章 進(jìn)入半導(dǎo)體高速檢測裝置技術(shù)社區(qū)
日本電產(chǎn)理德推出半導(dǎo)體高速檢測裝置“NATS-1000”
- 日本電產(chǎn)理德株式會(huì)社推出了全自動(dòng)在線半導(dǎo)體檢測裝置“NATS-1000”，用于汽車級(jí)IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor :絕緣柵雙極晶體管）/SiC（Silicon Carbide：碳化硅）模塊的功能測試。 1. 開發(fā)的背景及特征近年來，對車用功率器件（半導(dǎo)體元件）的需求迅速增長。日本電產(chǎn)理德的“NATS-1000”最初是在母公司日本電產(chǎn)株式會(huì)社（以下簡稱“日本電產(chǎn)”）的集團(tuán)公司進(jìn)行自制化，從重視可追溯性的汽車廠商的角度出發(fā)，為了優(yōu)化成本、品
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半導(dǎo)體高速檢測裝置介紹
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