日本電產理德推出半導體高速檢測裝置“NATS-1000”

日本電產理德株式會社推出了全自動在線半導體檢測裝置“NATS-1000”，用于汽車級IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor :絕緣柵雙極晶體管）/SiC（Silicon Carbide：碳化硅）模塊的功能測試。

1.  開發的背景及特征

近年來，對車用功率器件（半導體元件）的需求迅速增長。日本電產理德的“NATS-1000”最初是在母公司日本電產株式會社（以下簡稱“日本電產”）的集團公司進行自制化，從重視可追溯性的汽車廠商的角度出發，為了優化成本、品質和檢測速度而開發的產品。該裝置目前被用于以驅動電機系統“E-Axle”為代表的、日本電產的半導體檢測，為集團公司的產品生產提供支持。“NATS-1000”在全球同類檢測裝置中具有高速級的檢測速度，具有車用模塊高低溫溫度試驗及在線檢測所需的高速檢測速度。

由于汽車免不了要在炎熱的惡劣環境中使用，因此在高溫環境下進行檢測也是對于車用IGBT/SiC模塊的一項標準，溫度控制、溫度管理是必須具備的重要功能。“NATS-1000”配備了可在150℃～175℃的高溫環境下實現靜態特性和動態特性試驗的升溫槽和常溫冷卻槽，可根據不同模塊型號的熱容量維持檢測速度。

“NATS-1000”將每次檢測分為室溫絕緣、高溫靜態、高溫動態和室溫靜態這四種狀態，通過分散檢測及并行檢測，確保檢測的高速性，從而有助于提高生產率。此外，經換算，每臺檢測裝置每年可供80萬臺6in1*1IGBT 模塊檢測使用，具有出色的性價比，還可靈活應對因汽車行業對功率半導體的需求增加而不斷擴大的檢測能力。

2.  今后的計劃

目前，該檢測裝置主要支持汽車級6in1^*1IGBT的形狀，今后將根據EV定制化、多品種的要求，不斷擴充可在短時間內對應機型變更的套件。由此，在汽車級產品中，能更加靈活地支持SiC-MOSFET（Silicon Carbide：碳化硅　Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor：金屬-氧化物半導體場效應管）等小型模塊。由此，使該檢測裝置可支持如電機、EV用變頻器、高速電動車充電器、空調以及不間斷電源（UPS）等更多的應用，通過有效利用裝置來滿足降低成本的需求。

未來，日本電產集團將通過各種關聯產品的自制化，不斷提供創新型解決方案，通過電機產品的節能化抑制電力消費，從而為減輕地球環境負荷做出貢獻。

*1　6 in 1:IGBT 和 FWD(Free Wheel Diode) 各內置6個